三维a-IGZO薄膜中的电子—电子散射

发布时间：2017-09-09 08:39

  本文关键词：三维a-IGZO薄膜中的电子—电子散射

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【摘要】：本文利用射频磁控溅射法制备了一系列厚度约800 nm的非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)薄膜,并对其电输运性质和低温的电子退相干机理进行了系统的研究.研究发现,所有a-IGZO薄膜中,载流子浓度均不随温度变化,高温区的电阻-温度系数为正,说明样品具有类金属导电特性.通过对薄膜低温磁电阻的测量,获得了电子退相干散射率与温度的关系.分析表明,薄膜中电子-声子散射率远小于小能量转移电子-电子散射率,小能量转移电子-电子散射率主导电子退相干散射率与温度的依赖关系.
【作者单位】： 天津大学理学院天津市低维功能材料物理与制备技术重点实验室;
【关键词】： 电子散射 弱局域效应 电子输运性质
【基金】：国家自然科学基金(批准号:11174216) 高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20120032110065)资助的课题~~
【分类号】：O484
【正文快照】： 1引言 在无序导体中,电子退相干过程是一个至关重要且十分有趣的问题,一直以来受到人们的广泛关注[1-7].电子的退相干机理与体系的维度、无序度和测量温度有关[1-3].一般来讲,在三维弱无序导体中电子-声子散射为主要的退相干散射过程[3-5];当维度降低时,小能量转移电子-电子

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1 向永寿;电子-位错散射对金属低温下电子-电子散射电阻率ρee(T)的重要贡献[J];重庆师范学院学报(自然科学版);1991年01期

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本文编号：819413