能量密度和重复频率对PLD法制备ZnS薄膜性质的影响

发布时间：2017-09-11 12:18

  本文关键词：能量密度和重复频率对PLD法制备ZnS薄膜性质的影响

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【摘要】：利用脉冲激光沉积法在玻璃基片上、以不同的能量密度和重复频率制备了一系列ZnS薄膜。利用X射线衍射、X射线能量色散谱、紫外-可见-近红外分光光度计,对ZnS薄膜的晶体结构、化学组分、光学特性等进行表征。结果表明:所制备ZnS薄膜为富硫贫锌,结晶质量良好,为(002)晶面择优取向生长。能量密度为7.5 J/cm~2、重复频率为2 Hz是生长高质量ZnS薄膜的条件,其所制备的ZnS薄膜为纤锌矿结构,结晶程度最高,择优取向度最高(189.2),Zn/S摩尔比值接近化学计量比,堆积密度最大(0.967),可见光透过率高,禁带宽度为3.55 eV。
【作者单位】： 合肥工业大学电子科学与应用物理学院;
【关键词】： ZnS薄膜 脉冲激光沉积 能量密度 重复频率 择优取向 透过率
【基金】：国家自然科学基金资助项目(No.51272061)
【分类号】：TN304.2;O484.4
【正文快照】： Zn S是II-VI族宽禁带半导体,其禁带宽度为3.7制备Zn S薄膜的方法主要有热蒸发法[4]、电子束e V[1],有闪锌矿和纤锌矿两种结构[2],具有较高的可蒸发法[5]、化学水浴法[6]、喷雾热解法[7]、溅射法[8-9]、见光透过率和良好的光电性能,在短波长光电子器分子束外延法[10]和脉冲激光

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本文编号：830672