加磁场对GZO薄膜结构及光电性能的影响

发布时间：2017-09-16 11:05

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【摘要】：采用射频磁控溅射法在玻璃基底上制备了Ga掺杂ZnO(GZO)薄膜,在传统磁控溅射系统中引入外加磁场,探究了磁场强度变化对GZO薄膜晶体结构和光电性能的影响。结果表明:所制得的GZO薄膜结构均为六角纤锌结构且在[002]方向沿C轴择优取向;外加磁场强度对薄膜的光电性能具有较大影响,在可见光范围内,薄膜的平均透光率超过93%,并出现了Moss-Burstein效应;薄膜的电学性能得到提升,其电阻率从4.96×10~(-3)Ω·cm降至3.17×10~(-4)Ω·cm,霍尔迁移率从7.36 cm~2·V~(-1)·S~(-1)增至9.53 cm~2·V~(-1)·S~(-1)。
【作者单位】： 上海工程技术大学材料工程学院;
【关键词】： 外加磁场 磁控溅射 GZO薄膜 晶体结构 光电性能
【基金】：上海工程技术大学研究生科研创新项目(14KY0512)
【分类号】：TB383.2
【正文快照】： (Received 4 August 2015,accepted 9 September 2015)1引言科技的进步使得轻薄显示面板成为发展的趋势,透明导电薄膜(TCO)作为显示面板元件的重要组成部分,也成为近年来薄膜材料研究的热点。高质量的TCO薄膜须在可见光范围内具有较高的光学性能(透过率大于80%)及良好的导电性

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本文编号：862655