半导体制造业用微纳米碳化硅粉体制备工艺研究

发布时间：2017-09-23 18:11

  本文关键词：半导体制造业用微纳米碳化硅粉体制备工艺研究

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【摘要】：采用水流分级和高能纳米冲击磨对原始SiC粉料进行微纳米粉体加工。研究结果表明:水流分级得到纯度98.42%、中位粒径0.404μm的SiC粉体,比表面积由0.8879m2/g提高到8.0321m2/g;高能冲击磨得到纯度95.5%、中位粒径0.257μm的SiC粉体,比表面积由0.8879m2/g提高到8.2773m2/g,SiC的粒径及比表面积达到半导体制造业用微纳米碳化硅粉体的技术标准。纯度分析表明碳化硅粉体的水流分级未引入杂质,化学成分基本不变;SiC粉体冲击磨加工纯度下降,其他杂质含量偏高。粉体形貌分析表明原始SiC粉料形貌为非球形,粒度分布不均匀,水流分级和冲击磨加工碳化硅粉体形貌为非球形,粒度分布较加工前更均匀。
【作者单位】： 青海大学新能源光伏产业研究中心;
【关键词】： 微纳米碳化硅粉体 粒径分布 水流分级 冲击磨
【基金】：青海省重点实验室发展专项资金(2014-Z-Y31;2015-Z-Y02)
【分类号】：TQ163.4;TB383.3
【正文快照】： *青海省重点实验室发展专项资金(2014-Z-Y31;2015-Z-Y02)铁健:男,1990年生,硕士生,主要从事粉体材料研究E-mail:qhutiejian@163.com铁生年:通讯作者,男,1965年生,教授,主要从事新能源材料研究E-mail:tieshengnian@163.com0引言SiC具有抗氧化性强、高温强度大、耐磨损性好、热

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本文编号：906725