衬底温度对氢离子束辅助磁控溅射制备a-Si∶H薄膜结构特性的影响

发布时间：2017-09-23 20:09

  本文关键词：衬底温度对氢离子束辅助磁控溅射制备a-Si∶H薄膜结构特性的影响

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【摘要】：利用氢离子束辅助磁控溅射制备氢化非晶硅薄膜(a-Si∶H),借助拉曼光谱仪、红外光谱仪和椭圆偏振光谱仪等分析测试手段,研究衬底温度对a-Si∶H薄膜结构特性影响规律。结果表明在合适的衬底温度下氢离子束辅助磁控溅射制备的a-Si∶H薄膜具有较好短程有序度和中程有序度;当衬底温度为200℃时,薄膜的结构特性最优,a-Si∶H薄膜的次带吸收系数为0.46 cm~(-1)、氢含量为10.36%(原子比)、微结构因子为0.68和光学带隙为1.94 e V。
【作者单位】： 化学与材料工程系合肥学院;中国科学院中国科学院能量转换材料重点实验室;合肥乐凯科技产业有限公司;贺州学院化学与生物工程学院;
【关键词】： 离子束辅助溅射 非晶硅薄膜 结构性能 衬底温度
【基金】：安徽省教育厅一般项目(KJ2015B1105905和KJ2015B1105906) 中国科学院能量转换材料重点实验室开放课题基金(KF2016001) 大学生创新创业项目(201511059023)
【分类号】：TB383.2
【正文快照】： 非晶硅薄膜(a-Si)中Si-Si键虽然基本上保持sp3键结构,但a-Si中Si-Si键的键长和键角略有变化,并且薄膜中含有大量硅悬键,严重制约a-Si薄膜的应用。为钝化悬键,减少薄膜的缺陷态密度,提高a-Si有序结构。目前采用氢钝化非晶硅薄膜(a-Si∶H)以降低薄膜缺陷态密度[1]。目前制备a-Si

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本文编号：907228