Ti稳定N的三元Cu合金薄膜

发布时间：2017-10-03 13:06

  本文关键词：Ti稳定N的三元Cu合金薄膜

  更多相关文章： Cu合金 薄膜 磁控溅射 硬度 电阻率

【摘要】：由于铜与氮不能生成稳定的化合物,使得渗氮的方法不能用于提高铜的表面硬度。通过在Cu中添加能够稳定N的合金元素Ti,探索提高Cu表面硬度的有效方式。用磁控溅射法在Si(100)基体上制备不同Ti、N含量的Cu膜,对三元Cu合金膜进行微结构、硬度以及电阻率的分析。结果表明,加入Ti可以使N以钛氮化合物的形式稳定存在于Cu薄膜中,合金薄膜的硬度比纯Cu膜(~3.5 GPa)有了很大的提高,特别是Cu_(80.2)Ti_(9.8)N_(10.0)薄膜在400℃/1 h退火后硬度依然为5.4 GPa。Ti、N含量高的Cu_(81.2)Ti_(9.9)N_(8.9)薄膜的电阻率(~660μ?·cm)比Cu_(88.5)Ti_(4.3)N_(7.2)薄膜(~123μ?·cm)高很多,但两薄膜的硬度却都约为5.2 GPa,所以,薄膜中并不是Ti、N含量越高性能越好,因此应该合理控制各组元含量。
【作者单位】： 大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室;大连理工常州研究院有限公司;
【关键词】： Cu合金 薄膜 磁控溅射 硬度 电阻率
【基金】：国家自然科学基金(51271045) 江苏省自然科学基金(BK20131138)
【分类号】：TB383.2
【正文快照】： Cu是非常理想的导电材料,但其强度较低,在很多工作条件下,硬度和耐磨性均达不到使用要求。而Cu合金作为电极或接触线材料时,性能的要求就更加苛刻了。目前提高铜的强度及化学惰性通常采用适当合金化的方法,但引入大量溶质,必然带来导电率的下降。由此,提高Cu的使用性能,拓展其

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本文编号：965359