互连芯片化学机械抛光材料去除的仿真分析

发布时间：2018-03-16 03:12

  本文选题：铜互连　切入点：接触去除　出处：《福州大学学报(自然科学版)》2017年05期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：针对互连芯片化学机械抛光去除机理的认知不足,假设金属材料弹塑性变形连续,对单磨粒划擦互连芯片的材料去除进行了数值表征.通过芯片应力分布和工艺参数对材料去除率分析发现:平均法向力大于平均切向力;滑动摩擦系数、材料去除率随抛光速度增加而增加;当抛光速度为10~12 mm·s~(-1)时,粒径为30 nm的磨粒材料去除率最大;当工作载荷为6μN,抛光速度为6~10 mm·s~(-1)时,粒径为30 nm的磨粒材料去除率略低,粒径为60 nm的磨粒的材料去除率最大.
[Abstract]:In view of the lack of understanding of the removal mechanism of chemical-mechanical polishing of interconnect chips, it is assumed that the elastic-plastic deformation of metal materials is continuous. The material removal rate of single abrasive scraping interconnect chip is numerically characterized. Through the analysis of chip stress distribution and process parameters, it is found that the average normal force is greater than the average tangential force, and the sliding friction coefficient, the average normal force is greater than the average tangential force. The material removal rate increased with the increase of polishing speed, and the removal rate of the abrasive material with the particle size of 30 nm was the highest when the polishing speed was 10 ~ 12 mm 路s ~ (-1), and the removal rate of the abrasive material with the diameter of 30 nm was slightly lower when the working load was 6 渭 N and the polishing speed was 610 mm 路s-1). The removal rate of the abrasive particles with the particle size of 60 nm is the highest.
【作者单位】： 福州大学机械工程及自动化学院;
【基金】：国家自然科学基金资助项目(51375094) 福建省自然科学基金资助项目(2015J01195)
【分类号】：TG580.692;TH140

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本文编号：1618064