MEMS片上绝缘性能测试高阻标准件研制

发布时间：2018-11-17 15:49

【摘要】：针对MEMS圆片测试系统中绝缘性能测试的准确测量问题,利用Ga As半导体材料硼离子注入后的高绝缘特性,研究制作片上高值电阻标准件的方案,研制出一种基于Ga As衬底的由2个金属电极构成的1 GΩ片上高阻标准件。组建能有效溯源至国家最高标准的定标装置,使用与标准件探针压点坐标匹配的探针卡作为测试夹具,考核出年稳定性优于0.1%的在片标准件。经试验表明:该标准件携带方便、性能稳定,对开展MEMS片上绝缘性能测试提供有效的现场校准方案,有效解决其溯源问题。
[Abstract]:Aiming at the problem of accurate measurement of insulation performance in MEMS wafer test system, the scheme of making high value resistance standard parts on chip is studied by using the high insulation characteristics of Ga As semiconductor material implanted by boron ion. A 1 G 惟 on-chip standard component with two metal electrodes based on Ga As substrate has been developed. A calibration device which can effectively trace to the highest national standard is constructed. The probe card matching with the pressure point coordinate of the probe of the standard part is used as the test fixture, and the annual stability is better than 0.1% of the in-film standard parts. The test results show that the standard part is easy to carry and stable in performance. It provides an effective on-site calibration scheme for testing insulation performance on MEMS chip and effectively solves the problem of traceability.
【作者单位】： 中国电子科技集团公司第十三研究所;
【分类号】：TH-39

【参考文献】

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【共引文献】

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【二级参考文献】

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本文编号：2338353