一种MEMS开关驱动电路的设计

发布时间：2017-07-29 10:09

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【摘要】：静电驱动MEMS开关可靠工作需要较高的驱动电压,大多数射频前端系统很难直接提供,因此需要一种实现电压转换和控制的专用芯片,以满足MEMS开关的实用化需要。基于200 V SOI CMOS工艺设计的高升压倍数MEMS开关驱动电路,采用低击穿电压的Cockcroft-Walton电荷泵结构,结合特有的Trench工艺使电路的性能大大提高。仿真结果显示驱动电路在5 V电源电压、0.2 pF电容和1 GΩ电阻并联负载下,输出电压达到82.7 V,满足大多数MEMS开关对高驱动电压的需要。
【作者单位】： 南京电子器件研究所;东南大学射频与光电集成电路研究所;微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室;东南大学集成电路学院;
【关键词】： 电荷泵 MEMS开关 升压倍数 SOI Trench工艺
【基金】：预研基金项目(9140C14030314OC14004)
【分类号】：TH-39;TN402
【正文快照】： 近年来,微机电系统(MEMS)研究得到了迅猛的发展。作为MEMS的重要分支之一,RF MEMS研究也取得了显著成果。其中RF MEMS开关因具有高线性度、高隔离度、低插入损耗的突出优点,在测试和通讯系统中极具应用价值[1-5]。RF MEMS开关的驱动通常包括热驱动、压电驱动、静电驱动等形式,

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