直流磁控溅射功率对溅射生长GZO薄膜光电性能的影响

发布时间：2018-02-26 23:00

  本文关键词： GZO薄膜 溅射功率 电学性能 光学性能　出处：《材料科学与工程学报》2017年05期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：本文采用直流磁控溅射沉积系统在玻璃基底上沉积镓掺杂氧化锌(GZO)薄膜,将溅射功率从120W调整到240W,步长为30W,研究功率变化对GZO薄膜的晶体结构、表面形貌、光学性能和电学性能的影响。结果表明,溅射功率对GZO薄膜电阻率有显著的影响。溅射功率为210W时薄膜呈现最低电阻率为3.31×10~(-4)Ω·cm,可见光波段平均光学透光率接近84%。随着溅射功率的增加,薄膜表面形貌和生长形态发生较大变化,并直接得到具有一定凸凹不平的微结构,GZO薄膜的致密性先增加后降低。
[Abstract]:Gallium doped ZnO GZO thin films were deposited on glass substrates by DC magnetron sputtering system. The sputtering power was adjusted from 120W to 240W and the step length was 30W. The effect of power variation on the crystal structure and surface morphology of GZO thin films was studied. Effects of optical and electrical properties. The results show that, The sputtering power has a significant effect on the resistivity of GZO films. The lowest resistivity of the films is 3.31 脳 10 ~ (-4) 惟 路cm, and the average optical transmittance is close to 84 when the sputtering power is 210W. The surface morphology and growth morphology of GZO thin films have been changed greatly, and the densification of GZO thin films with a certain uneven structure has been obtained by increasing the density of GZO films at first and then decreasing them.
【作者单位】： 蚌埠玻璃工业设计研究院浮法玻璃新技术国家重点实验室;大连交通大学;蚌埠市第二中学;
【基金】：安徽省科技攻关计划资助项目(1704a0902010,1704a0902014,1501021046)
【分类号】：TB383.2

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本文编号：1540031