直流磁控溅射技术低温制备高电导和高透明的氢掺杂AZO薄膜

发布时间：2018-03-13 15:42

  本文选题：AZO薄膜　切入点：氢掺杂　出处：《真空科学与技术学报》2017年02期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：采用直流磁控溅射的方法制备掺铝氧化锌(AZO)透明导电薄膜,通过溅射过程中加入氢气的方法来降低AZO薄膜的电阻率。结果表明:通过加入氢气的方法能有效降低AZO薄膜的电阻率;在衬底温度为225℃的低温条件下,通过优化其它沉积参数,制备了电阻率最低为4.5×10~(-4)Ω·cm、可见光区平均透光率在90%的优质AZO薄膜。这说明在溅射过程中引入一定流量的氢气,H可以起到掺杂作用,提高AZO薄膜的电导率。
[Abstract]:The transparent conductive aluminum doped zinc oxide (AZO) thin films were prepared by DC magnetron sputtering. The resistivity of AZO thin films can be reduced by adding hydrogen in the sputtering process. The results show that the resistivity of AZO thin films can be reduced effectively by adding hydrogen, and the substrate temperature is 225 鈩，

本文编号：1607038