CDTE笼状纳米团藤及其AG掺杂理论研究

发布时间：2018-04-11 10:39

  本文选题：半导体纳米团簇 + 碲化镉(CdTe)　； 参考：《天津工业大学》2017年硕士论文

【摘要】：作为一种典型的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,CdTe纳米团簇由于其性质的可调性引起了广泛的关注,尤其是掺杂纳米团簇。本文利用密度泛函理论(DFT)对(CdTe)_(16×N)(N=1-3)纳米链、Ag掺杂(CdTe)_(16×N)(N=1-2)纳米链以及Ag掺杂的(CdTe)_(34)壳核纳米团簇进行了研究。首先,对(CdTe)_(16×N)(N=1-3)纳米链进行了计算分析,研究结果表明,纳米链的结构稳定性高于组成链的单个笼状团簇,且链接个数和连接方式是影响团簇稳定性的两个重要原因。此外,纳米链团簇的能带隙值较单个(CdTe)16团簇能带隙窄,呈现典型的量子点特性。在(CdTe)_(16×N)(N=1-2)纳米团簇链的基础上,我们进一步研究了 Ag替代掺杂纳米链的性质及其与Ag掺杂位的关系。研究显示,掺杂位对结合能、能带隙和态密度有着直接的影响。Ag掺杂在能带结构上显示能带隙中引入了一新的浅能级,受主能级。Ag原子以及Ag原子近邻的三个Te原子对该能级有明显的贡献,且三个Te原子中距离Ag原子最远的Te原子的贡献最大。同时,Ag掺杂也改变了团簇的电荷密度分布。最后,详细分析研究了由一(CdTe)_(28)的笼状团簇内嵌了一个(CdTe)_6团簇构成的(CdTe)_(34)壳核纳米团簇及其Ag掺杂的结构和性质。结果同样显示,掺杂可提高团簇的稳定性,且性质均随掺杂位不同而变化。
[Abstract]:As a typical type of 鈪，

本文编号：1735651