高性能含氟有机硅材料的合成、表征及性能研究
本文选题:低介电常数 + 三氟乙烯基醚 ; 参考:《郑州大学》2017年硕士论文
【摘要】:随着超大规模集成电路(ULSI Ultra Large Scale Integrated Circuit)在新材料、新技术的不断发展与进步,使得半导体产业在工业中占据重要的地位,成为不可忽视的一种产业力量。超大规模集成电路器件集成密度的不断增加,元件尺寸向深微米级别的逐渐降低,线宽的不断减小以及晶体管密度的不断提高,导致导线间电容与层间电容信号,以及导线的电阻不断增加,进而使得导线电阻(R)-电容产生(C)产生的RC信号延迟有所增加,这样不仅会极大限制器件的性能,还会增加器件的损耗,降低器件的使用寿命。市场上普遍使用的介电材料(SiO2)已经不能满足超大规模集成电路发展的需求,这就造成了市场对低介电常数材料需求的逐渐增加,因此越来越多的科研工作者期望开发出新型的、低成本的高性能低介电常数材料来代替传统材料作为介质层,应用在超大规模集成电路中。本份论文对近些年来低介电常数材料在工业上的研究发展进行了综述,并设计合成出几种新型的含氟有机硅低介电常数材料。氟原子具有很高的电负性,其原子外围的电子由于受到原子核较强的束缚,进而造成其原子可极化的能力相对较差,而且氟原子还会增加聚合物的自由体积。通过将氟原子引入到聚合物材料中,会使得聚合物大分子在外加电场的作用下较难被极化,从而会使得材料的介电常数有不同程度的降低。另一方面,C-F键的键能高于C-H键,具有较小的极化率。因此含氟的聚合物材料,相对于不含氟的聚合物材料具有更高的热稳定性和力学强度。本份论文设计并合成了两类含氟有机硅低介电常数聚合物材料。其一是含多官能度的三氟乙烯基醚单体以及聚合物的合成、表征及性能研究。我们从含不同官能度酚羟基的单体出发,合成出三种含不同官能度烯丙基的单体,再通过硅氢加成反应,将三氟乙烯基醚官能团引入到单体中,进而合成出三种含不同官能度的三氟乙基醚单体,通过热聚合的方式,将三氟乙烯基醚官能团转换为含有六氟环丁基醚的网状结构聚合物,并对聚合物材料进行性能研究。其二是含四官能度三氟乙烯基醚的有机硅氧烷单体以及聚合物的合成、表征及性能研究。我们从二甲氧基甲基乙烯基硅烷单体出发,通过格氏反应,水解反应以及硅氢加成反应,合成出含四官能度三氟乙烯基醚的有机硅氧烷单体,通过热聚合的方式,将三氟乙烯基醚官能团转换为含有六氟环丁基醚的网状结构聚合物,并对聚合物材料进行性能研究。该聚合物材料在沸水中72h浸泡,其吸水率低至0.12%,在30MHz处的介电常数低至2.56左右,其介电损耗为1.8×10-3,表现出良好的介电性能。该聚合材料还具有较为优良的透光性,1.1mm的聚合物薄片材料在400~1100nm范围内的透光性高于90%。此外,该聚合物材料也具有良好的热稳定性,其在氮气环境中5%的热失重温度高达444℃。这些数据表明,这种新型的含氟有机硅氧烷聚合物材料可作为粘合剂和密封剂应用于微电子器件产业中。
[Abstract]:A new type of low dielectric constant material with low dielectric constant has been designed and synthesized . The polymer material also has good thermal stability , and the heat loss temperature of the polymer sheet material in the range of 400 - 1100 nm is higher than 90 % . The polymer material also has good thermal stability , and the heat loss temperature of the polymer sheet material in the nitrogen environment is up to 444 DEG C . The data show that the novel fluorine - containing organic siloxane polymer material can be used as an adhesive and a sealant in the micro - electronic device industry .
【学位授予单位】:郑州大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2017
【分类号】:O634.41;TB34
【相似文献】
相关期刊论文 前10条
1 化信;;上海有机所在低介电常数材料研究领域取得新进展[J];化工新型材料;2013年09期
2 陈明;张鉴;李志炜;葛海雄;袁长胜;陈延峰;;一种新型多官能度乙烯基醚树脂的制备及在光刻负胶中的应用[J];南京大学学报(自然科学版);2010年01期
3 王银起,吕凤英,王素霞;水溶性低介电常数溶剂及多项式回归在低浓度氟测定中的应用[J];环境与健康杂志;1993年03期
4 季学满;;乙烯基醚的合成方法及研究进展[J];安徽科技;2014年03期
5 张雅静;邹应全;;多酚乙烯基醚类化合物酸解成像研究[J];信息记录材料;2006年03期
6 李志进;陈奇;王德强;;低介电常数NaF-ZnO-P_2O_5-B_2O_3玻璃的研究[J];玻璃与搪瓷;2010年05期
7 袭锴,徐丹,贾叙东;低介电常数聚合物材料的研究进展[J];高分子材料科学与工程;2004年04期
8 施昌亚;;常温下可能硬化的含氟共聚物涂料[J];浙江化工;1985年02期
9 何志巍;;低介电常数硅基薄膜后处理的研究进展[J];绝缘材料;2010年03期
10 黄伟平;曾钫;赵建青;吴水珠;李树辉;;低介电常数高分子材料[J];合成材料老化与应用;2008年02期
相关会议论文 前10条
1 李伟;庞玉莲;邹应全;;乙烯基醚阳离子光固化单体[A];2012第十三届中国辐射固化年会论文集[C];2012年
2 冯嗣男;沈困知;于莹莹;庞金辉;;新型含大体积侧基氟化聚芳醚类低介电常数材料的制备及性能研究[A];2013年全国高分子学术论文报告会论文摘要集——主题L:高性能树脂[C];2013年
3 张卫;王鹏飞;张庆全;丁士进;王季陶;;等离子体化学气相淀积新型低介电常数SiCOF介质薄膜[A];第四届中国功能材料及其应用学术会议论文集[C];2001年
4 冯萍;邹应全;;乙烯基醚聚氨酯低聚物的合成及其阳离子光固化性能研究[A];2012第十三届中国辐射固化年会论文集[C];2012年
5 刘晓丽;杨海霞;杨士勇;;低介电常数聚酰亚胺复合材料的制备及性能研究[A];2013年全国高分子学术论文报告会论文摘要集——主题L:高性能树脂[C];2013年
6 宁兆元;程珊华;叶超;辛煜;江美福;黄松;;低介电常数薄膜沉积和性质的研究[A];中国真空学会第六届全国会员代表大会暨学术会议论文摘要集[C];2004年
7 叶超;宁兆元;王婷婷;俞笑竹;;DMCPS电子回旋共振等离子体沉积SiCOH低介电常数薄膜研究[A];中国真空学会第六届全国会员代表大会暨学术会议论文摘要集[C];2004年
8 冯坚;张长瑞;王娟;杨大祥;;低介电常数纳米多孔氧化硅薄膜[A];纳米材料和技术应用进展——全国第三届纳米材料和技术应用会议论文集(下卷)[C];2003年
9 肖时卓;辛阳阳;周树云;陈萍;邹应全;;双官能度聚氨酯乙烯基醚化合物光聚合性能研究[A];2012第十三届中国辐射固化年会论文集[C];2012年
10 邢长民;邓建平;杨万泰;;马来酸酐/乙烯基醚电荷转移络合物体系的表面光接枝聚合反应[A];中国辐射固化年会'03论文集[C];2003年
相关重要报纸文章 前4条
1 童枫;高、低介电常数材料急需开发[N];中国电子报;2001年
2 宋明熙;荆洪化工戊二醛等填补空白[N];中国化工报;2006年
3 清华大学新型陶瓷材料与精细工艺国家重点实验室 周济 王睿;LTCC助推元件集成化 功能模块研制是重点[N];中国电子报;2008年
4 赵艳秋 编译;CMP技术走到尽头了吗[N];中国电子报;2002年
相关博士学位论文 前4条
1 董锡杰;低介电常数材料微观结构及其对介电性能和热性能的影响[D];华中科技大学;2010年
2 聂王焰;POSS基低介电常数纳米多孔二氧化硅薄膜的制备与性能研究[D];安徽大学;2010年
3 杨春晓;超低介电常数SiOCH薄膜及其与扩散阻挡层相互作用的研究[D];复旦大学;2010年
4 赵巍;新型芳基膦和氧化膦的合成及其阻燃聚合物研究[D];东北林业大学;2012年
相关硕士学位论文 前10条
1 辛雨萌;高性能含氟有机硅材料的合成、表征及性能研究[D];郑州大学;2017年
2 陈赛;聚乙二醇正烷基乙烯基醚的制备与纤维应用[D];天津工业大学;2016年
3 宦杰;低介电常数超材料在磁光隔离器中的应用[D];南京邮电大学;2016年
4 袁伟伟;镁铝硼硅系低介电常数纤维玻璃的结构和性能研究[D];重庆理工大学;2016年
5 陆亚宁;低介电常数POSS/聚芳醚酮复合材料的制备及其性能研究[D];吉林大学;2017年
6 田军;乙烯基醚—马来酸酐共聚物的探索研究[D];中国科学院研究生院(理化技术研究所);2008年
7 张国权;多孔低介电常数氧化硅陶瓷材料的制备[D];浙江大学;2008年
8 赵军毅;低介电常数工艺集成电路的封装技术研究[D];复旦大学;2009年
9 贾红娟;低介电常数聚酰亚胺薄膜制备与性能研究[D];北京化工大学;2011年
10 章瑛;多孔低介电常数甲基硅倍半氧烷薄膜的制备及性能研究[D];华中科技大学;2007年
,本文编号:1782718
本文链接:https://www.wllwen.com/kejilunwen/cailiaohuaxuelunwen/1782718.html