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二维层状二硫化钼纳米薄膜的表面改性研究

发布时间:2020-03-24 08:48
【摘要】:二维(2D)过渡金属硫化物(TMDCs)如二硫化钼(MoS_2),二硫化钨(WS_2)具有良好的带隙,因此被视为纳米电子器件的下一代候选者。由于其具备良好的电学,机械,光学和化学等性质,它们在光学和电子设备中受到科研工作者相当大的关注。在这项工作中,我们利用聚焦离子束(FIB)系统进行等离子体处理和镓离子辐照,以调整TMDC的性质。首先,研究了经过氧等离子体处理的单层MoS_2薄膜的结构,机械和表面电位(SP)特性。等离子体处理之前和之后单层MoS_2膜的拉曼光谱(RS)的比较显示等离子体处理引起机械剥离。随着的氧等离子体处理时间的改变,E~1_(2g)和A_(1g)峰值之间的差异以及纵向声学模式的位置也发生显着改变。原子力显微镜(AFM)用于研究等离子体处理诱导的MoS_2薄膜的结构,力学行为和SP的变化。均方根(RMS)值用于分析氧等离子体处理诱导的MoS_2薄膜的表面粗糙度,粘附性和SP的变化。随着等离子体处理持续时间的增加,薄膜的RMS粗糙度首先增加然后减小。氧等离子体处理增加了MoS2薄膜的缺陷含量,SP显着降低。其次,通过FIB控制Ga离子束的能量和强度,采用MoS2的摩擦力和表面改性,研究了不同时间照射的MoS_2。RS发现,通过照射引起的拉伸应变最初增加了功函数,并且通过掺杂薄片改变了晶格。类似地,在镓离子辐照各种停留时间下,MoS_2的AFM拓扑研究表明与辐照时间和摩擦力有直接关系。因此,如上所述,随着摩擦值降低,照射时间增加。因此,增加停留时间会引起辐照的MoS_2薄片内的变化,导致摩擦值逐渐降低。
【学位授予单位】:江苏大学
【学位级别】:博士
【学位授予年份】:2019
【分类号】:TQ136.12;TB383.2

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