当前位置:主页 > 科技论文 > 材料论文 >

类钙钛矿和层状锑基氧化物的热电特性及输运机制

发布时间:2020-09-10 20:04
   热电材料能够直接将热能转化为电能,同时也可以利用电力来控制温度。热电器件在太空探索和半导体制冷领域都有广泛的应用,近年来也被认为在废热回收领域中具备潜力。高性能热电材料需要具备高的电导率,大的Seebeck系数值和低的热导率。这三个参数相互耦合,难以同时优化。对电学性能来说,优化的方案有很多种,例如载流子浓度调控和能带结构工程。但是调控晶格热导率却相对较为困难。在材料中引入新的散射机制是目前唯一能够有效降低晶格热导率的方案,但这也通常需要牺牲材料部分的导电性能。因此,热电研究者常常会选择一些具有本征低热导率的材料作为母体来进行热电研究。基于上述的观点,本论文一开始选择了铌酸锶钡(strontium barium niobate,SBN)进行热电研究。由于铌酸锶钡具有复杂的晶格结构,因此具备本征的低热导率。此外,铌酸锶钡在经过氧还原之后也具有良好的导电性,有望实现高热电性能。本文通过实验结合第一性原理计算对铌酸锶钡的热电特性进行了研究。结果表明,铌酸锶钡的电学输运性质遵循Anderson局域理论。铌酸锶钡中的极化区域作为材料体系中无序的来源之一,同时也对降低热导率起到了重要的作用。铌酸锶钡热电性质的强各向异性是由氧空位引起的。通过调控组分和微结构,铌酸锶钡的热电优值达到了 0.35,相比母体材料增长了将近一倍。然而,这一数值仍然远低于理论预期值。这是由于两部分因素引起的,一方面是因为极化区域的边界对声子的散射在高温区减弱,导致晶格热导率升高。另一方面则是由于电子的局域化阻碍了导电,导致了铌酸锶钡热电性能的降低。电子局域化对材料的热电性能有不利的影响,也经常出现在除了铌酸锶钡之外的其他热电材料中。因此,对电子局域化的机理进行研究具有重要意义。本文接下来选择了三种具有电子局域化现象的类钙钛矿型热电材料(SBN,CaMnxNb1-xO3和SrTi1-xNbxOxO3-δ),利用第一性原理计算,从电子态的空间和能量分布的角度对其电子局域化现象进行了研究。结果表明,铌酸锶钡的电子局域化是由于其复杂的晶格结构导致的。相邻的Nb原子的4d电子态的能级分布在不同的能量区间,导致其导带底电子的局域化。CaMnxNb1-xO3的载流子局域化是由于Mn的3d电子态和掺杂的Nb的4d电子态的能级不同导致。SrTi1.xNbxO3-δ中的局域化机制和以上两种都不相同,其电子局域化是由Nb掺杂和氧空位共同导致的。此外还发现,引入Sr空位可以有效地实现退局域化。从以上的结果来看,铌酸锶钡的载流子很难实现退局域化,这是由于其局域化的来源是本征的。接下来本文选择了具有简单晶格结构的ZrCuSiAs型Sb氧化物进行研究来避免电子局域化。这种材料具有二维层状晶格结构,因此也有低的本征热导率。本文基于第一性原理计算和半经典的玻尔兹曼理论,对LnTSbO(Ln= La-Gd and T= Zn,Mn)的热电性质进行了研究。结果表明,LnTSbO的价带顶具有轻重带简并的结构,导带底具有多能谷结构。n型LnTSbO的热电性质是由其不同能谷之间的能级差决定的。LnZnSbO能级差值随着Ln离子半径的增加而线性增加。这样,LnZnSbO的热电性质就可以通过改变镧系元素而有效调控。LnZnSbOO(Ln=Ce-Nd)具有较好的热电性能。NdZnSbO的n型掺杂(F掺杂)和p型掺杂(Sr、Ba、Ag、Cu掺杂)计算的结果表明,F掺杂主要起电子施主作用,为NdZnSbO提供电子作为载流子。Sr、Ba、Ag、Cu掺杂不仅起到电子受主作用,为NdZnSbO提供空穴作为载流子,而且对NdZnSbO价带顶的能带结构产生影响,使价带顶能带在X点发生退简并,并在Z点色散性变弱。总的来看,重掺杂有利于n型NdZnSbO获得较高的功率因子,轻掺杂有利于p型NdZnSbO获得较好的热电性质。
【学位单位】:山东大学
【学位级别】:博士
【学位年份】:2019
【中图分类】:TB34
【部分图文】:

示意图,效应,电流,材料


1/逡逑图1.2邋Peltier效应示意图逡逑如图1.2所示,两种不同材料A和B连接后,当有电流流过时,两种材料的逡逑接头处就会有吸热和放热现象。这个效应是Peltier在1834年首先发现的,所以逡逑命名为Peltier效应,这种吸收或放出的热量称为Peltier热量。通过实验发现,逡逑吸收或者放出热量,只与材料A和材料B以及接头处的温度有关,与两种材料逡逑其他部分的情况无关。如果电流/由材料A流向材料B,单位时间接头处放出的逡逑3逡逑

示意图,效应,示意图,材料


1/逡逑图1.2邋Peltier效应示意图逡逑如图1.2所示,两种不同材料A和B连接后,当有电流流过时,两种材料的逡逑接头处就会有吸热和放热现象。这个效应是Peltier在1834年首先发现的,所以逡逑命名为Peltier效应,这种吸收或放出的热量称为Peltier热量。通过实验发现,逡逑吸收或者放出热量,只与材料A和材料B以及接头处的温度有关,与两种材料逡逑其他部分的情况无关。如果电流/由材料A流向材料B,单位时间接头处放出的逡逑3逡逑

示意图,电阻率测量,系数,示意图


样品电学输运特性测试使用的是Linseis邋LSR-3/1100型Seebeck测试仪,同逡逑时测量出样品的Seebeck系数和电阻率。逡逑Seebeck系数的测量示意图如图2.1所示。通过热电偶A和热电偶B可以测逡逑出A点和B点的温度,进而求出A、B两点之间的温差A7\同时也可以测出A、逡逑B两点之间的电压AF,然后通过AF/A:T得出样品和热电偶之间的相对Seebeck逡逑系数,加上热电偶的绝对Seebeck系数后即可得到样品的绝对Seebeck系数。然逡逑而这种方法没有考虑寄生电势引起的误差。为扣除这一部分误差可以使用动态法逡逑测量。设置不同的温差Ar,测量对应的电压AF,可以得到一条AF-A:T曲线。当逡逑温度变化范围不大时,Seebeck系数可以视为常数,此时AF-A:T是线性关系,通逡逑过求AF-A7直线的斜率就可以得到Seebeck系数。逡逑—逡逑A邋wb逦?逡逑teW邋A逦?一逡逑'邋P:邋-邋'邋A邋a:i]邋8逦1逦?逡逑一一———逦o邋%逡逑4*逡逑^__逦?逡逑图2.1逦(左)Seebeck系数测量示意图;(右)电阻率测量示意图。逡逑电阻率的测量示意图如图2.1邋(右)所示,测量方式采用的是四引线法。测逡逑量的时候,样品中通过一个恒定的电流,电压依旧是通过两个热电偶来测量。然逡逑后通过求电压与电流的比值求出电阻W。根据公式/>=兄^/1求出电阻率

【相似文献】

相关期刊论文 前10条

1 陈焕矗,宋永远,孙大亮;掺杂铌酸锶钡光折变晶体[J];人工晶体;1988年Z1期

2 ;铌酸锶钡单晶的制取及研究[J];激光与红外;1971年02期

3 涵森;;铂在铌酸锶钡上的外延[J];激光与红外;1973年08期

4 单连伟;马成国;胥焕岩;董丽敏;吴泽;韩志东;张显友;;铌酸锶钡/钛酸锶钡复相陶瓷形成过程研究[J];信息记录材料;2011年03期

5 张天浩,路彦珍,康慧珍,杨大鹏,郑建亚,方哲宇,楼慈波,杨嘉,杨会战,尹美荣;铌酸锶钡光折变表面电磁波实验[J];物理学报;2005年10期

6 姜全忠,陈焕矗,宋永远,孙大亮,许克彬,余有龙,徐海英,袁洋;掺铜钾钠铌酸锶钡单晶生长及其光折变性能[J];科学通报;1990年18期

7 王炜;张洁;焦岗成;樊慧庆;;铌酸锶钡陶瓷的固相烧结行为与结构演化研究[J];航空材料学报;2006年03期

8 ;在10KHz—10MHz频率范围内铌酸锶钡的介电特性与温度的关系[J];国外红外与激光技术;1972年01期

9 李丽霞;朱乃钰;陈晨;陈焕矗;宋永远;;掺杂铌酸锶钡单晶的喇曼散射[J];山东大学学报(自然科学版);1991年01期

10 郭常霖;铌酸锶钡钠系统X射线衍射数据的测定[J];物理学报;1980年02期

相关会议论文 前5条

1 叶辉;李跃甫;;铌酸锶钡高择优取向薄膜的生长与光学特性研究[A];中国光学学会2006年学术大会论文摘要集[C];2006年

2 王正;张曰理;郭扬铭;莫党;;铌酸锶钡薄膜制备及椭偏光谱研究[A];第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅰ[C];2004年

3 郭少波;陈慧;王根水;姚春华;闫世光;曹菲;董显林;;铌酸锶钡钙无铅铁电陶瓷的热释电效应研究[A];2017年光学技术研讨会暨交叉学科论坛论文集[C];2017年

4 戚冰;陈国华;;铌酸锶钡陶瓷材料的制备及介电性能研究[A];第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集(2)[C];2007年

5 张日理;陶科玉;蒋志洁;MAK C L;W0NG W H;CH0Y C L;;外延SCNN电光薄膜生长及研究[A];第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅱ[C];2004年

相关博士学位论文 前2条

1 李宜;类钙钛矿和层状锑基氧化物的热电特性及输运机制[D];山东大学;2019年

2 单连伟;铌酸锶钡/钛酸锶钡复相陶瓷制备、结构和性能研究[D];哈尔滨理工大学;2009年

相关硕士学位论文 前10条

1 饶云;铌酸锶钡Sr_xBa_(1-x)Nb_2O_6陶瓷的储能性能及其改性研究[D];武汉理工大学;2018年

2 张宝林;铌酸锶钡陶瓷的制备与介电性能的研究[D];天津大学;2008年

3 张亚翠;填充铌酸锶钡陶瓷的热电性质研究[D];山东大学;2017年

4 王炜;铌酸盐基取向陶瓷制备技术研究[D];西北工业大学;2007年

5 彭娟;改进的溶胶凝胶法制备铌酸锶钡/钛酸锶钡复相陶瓷研究[D];哈尔滨理工大学;2008年

6 王丽丽;铌酸锶钡陶瓷的烧结行为和掺杂改性研究[D];青岛大学;2009年

7 戚冰;铌酸锶钡陶瓷材料的制备及性能研究[D];桂林电子科技大学;2008年

8 张文俊;高储能密度铌酸盐铁电玻璃陶瓷制备及性能研究[D];桂林电子科技大学;2011年

9 李跃甫;硅基择优取向铌酸锶钡薄膜的磁控溅射沉积研究[D];浙江大学;2007年

10 彭亮;铌酸锶钡陶瓷的光学特性及其铁电相变[D];华东师范大学;2016年



本文编号:2816260

资料下载
论文发表

本文链接:https://www.wllwen.com/kejilunwen/cailiaohuaxuelunwen/2816260.html


Copyright(c)文论论文网All Rights Reserved | 网站地图 |

版权申明:资料由用户97f08***提供,本站仅收录摘要或目录,作者需要删除请E-mail邮箱bigeng88@qq.com