当前位置:主页 > 科技论文 > 材料论文 >

薄膜力学性质及台阶势垒影响下的表面形貌计算模拟研究

发布时间:2020-09-27 07:38
   近几十年来,随着材料科学技术的急速成长,纳米薄膜因有着许多独特且卓越的性质被广泛应用于信息、能源、生物等各个领域。然而,由于外界的机械应力、温度、压力以及薄膜内部的缺陷、势垒等的影响,使得纳米薄膜表面结构发生变化,这些微小的变化能导致薄膜性能发生根本的变化,从而不利于器件的合成。因此,研究和制备出性能高、稳定性好、符合需求的纳米薄膜成了当今材料科学的关键。然而,要实现纳米薄膜的可控制备,需在原子层面上观测薄膜的成核机理以及生长过程,这在当今实验设备上很难得到控制。因此我们采用计算机模拟技术来对纳米薄膜的力学性质和生长过程进行研究,一方面方便我们探索成核的生长机理和规律及研究薄膜的性质,另一方面可以大量减少实验中的资源浪费并对实验有重要的指导作用。本课题的研究内容主要分为两个部分,第一部分是研究采用分子动力学方法模拟的三种不同表面形貌的银纳米薄膜沿着[0 1 0]晶向拉伸的力学性质,第二部分是研究采用蒙特卡罗方法模拟的二维铜薄膜生长过程中台阶势垒和温度对表面形貌的影响。模拟的结果表明:(1)三种银纳米薄膜的拉伸过程主要分为两个阶段,一是弹性形变阶段,二是塑性形变阶段。研究表面,普通薄膜有着较高抗拉伸能力;而对于网格薄膜,方形网格薄膜有着较高的抗拉伸能力。(2)随着纳米薄膜厚度的逐渐增加,薄膜的初始应力都逐渐减小;屈服应变略微有所波动;屈服应力和杨氏模量基本不变。(3)随着温度的逐渐升高,薄膜的屈服应变、屈服应力和杨氏模量都会下降,且下降趋势近似呈线性变化。(4)台阶势垒影响着薄膜的表面形貌,基本上,薄膜表面的粗糙度随二维台阶势垒和三维台阶势垒的增大而增大。(5)二维台阶势垒和三维台阶势垒存在着竞争关系,且竞争点的三维台阶势垒值随二维台阶势垒的增大而变小。(6)温度也同样影响着薄膜的表面形貌,基本上,薄膜表面的粗糙度随温度的升高而下降。因此,可以把二维台阶势垒和三维台阶势垒的竞争关系推广至任意温度下,对实验上制备纳米薄膜有着重要的指导意义。
【学位单位】:电子科技大学
【学位级别】:硕士
【学位年份】:2018
【中图分类】:TB383.2
【部分图文】:

结构示意图,纳米尺度,纳米材料,三维空间


电子科技大学硕士学位论文现在人们的视野中。根据在三维空间中纳米材料有几个维度处于纳米尺度下,把它分为以下三类,其结构示意图如图 1-1 所示[5]:(1) 0 维:纳米材料的三维空间尺寸均处于纳米尺度内,如纳米球、原子团簇等,这种 0 维度的纳米材料又被叫称为量子点(Quantum Dot)。(2) 1 维:纳米材料的三维空间尺寸有两维处于纳米尺度内,如纳米线、纳米棒、纳米管等,这种 1 维的纳米材料又被称为量子线(Quantum Wire)。(3) 2 维:纳米材料的三维空间尺寸有一维处于纳米尺度内,如纳米薄膜、多孔纳米薄膜、超晶格等,这种 2 维的纳米材料又被称为量子阱或量子膜(QuantumWell)。

示意图,银纳米线,微栅,拉伸应变


1.3 本论文选题角度从上小节中我们了解到不同维数不同形貌的纳米材料被应用于各个科技领域,从而大大改善了现代化科学技术的发展,因此可以说纳米材料是现代化科技的基础,所以研究和探究纳米材料的生长过程和其性能显得尤为重要。本论文主要选取了两个特殊的角度来探究纳米薄膜的性能和对生长薄膜的影响。1.3.1 力学性质由于薄膜在制备及应用的过程中,往往会受到晶体内部或者周围施加的应力的影响,从而导致薄膜的力学性能受到影响。此外,利用薄膜的力学特性,还可以制备有着特殊功能的器件。如图 1-2 所示[33],Cho 小组制备的基于银纳米线微栅格的可拉伸应变传感器,则是利用银纳米线网格的拉伸及复原过程来实现的,其最大可弹性拉伸的应变值(即屈服应变)对器件性能有着重要的影响。因此,本论文的第一份工作将主要研究三种不同表面形貌的纳米薄膜的力学性质。

形貌,生长过程,薄膜,原子


第二章 薄膜的理论形成过程者被吸附到衬底。(2) 被吸附的原子受到衬底表面热作用的影响,在衬底表面上开始向各个扩散。(3) 在扩散过程中,扩散原子与其他原子相遇,他们会彼此结合形成较大原子团,两个原子结合被称为二聚体,三个原子结合被称为三聚体,多合被称为团簇。(4) 结合较稳定的团簇的原子也有可能从中脱附出来,重新成为扩散原子重新回到气相,重复过程(1)(2)(3)。(5) 团簇中结合的原子越来越多,形成更加稳定的岛,沉积原子沿着岛的扩散,跨过不同层数的台阶,与其他原子进行能量的交换,达到相对稳,直至沉积结束,形成一定形貌的薄膜。

【相似文献】

相关期刊论文 前10条

1 邵小方;薄膜结构设计及应用中的主要问题[J];建筑技术开发;1995年03期

2 邵小方,吴健生;薄膜结构最优化裁剪分析[J];Transactions of Tianjin University;1995年02期

3 DanielL.Schodek;王克洪;;薄膜结构[J];华中建筑;1987年04期

4 史引焕,赵柏儒,赵玉英,李林;Bl结构MoN_x薄膜的制备及物理性能研究[J];物理学报;1988年07期

5 孙长庆,姜恩永,张西祥,吕旗,刘裕光;FeN薄膜的制备及晶体结构分析[J];人工晶体;1988年Z1期

6 陈丽君;X射线薄膜衍射技术及其应用[J];上海钢研;1989年06期

7 周心明,郑家贵,曾家玉,黄天荃,邱淑蓁,蔡亚平,徐晓菲,冯良桓;Si:H薄膜的微结构及输运性质[J];太阳能学报;1989年01期

8 刘付德;曲喜新;;C轴取向AIN薄膜的强电特性分析[J];仪表材料;1989年06期

9 杨殿文;;薄膜结构防水形式的探讨[J];中国建筑防水材料;1989年02期

10 崔砚;;特种材料表面镀TiN薄膜的结构与应力研究[J];导航与控制;2010年02期

相关会议论文 前10条

1 薛峰;苟晓凡;周又和;;磁性夹杂/超导薄膜结构力学特性研究[A];中国力学大会——2013论文摘要集[C];2013年

2 宋昌永;沈世钊;;薄膜结构的形状确定分析[A];第六届空间结构学术会议论文集[C];1996年

3 肖青平;杨斌;吴萍;郝建钢;;辐照对碳氮薄膜结构和硬度的影响[A];第四届中国核学会省市区“三核”论坛论文集[C];2007年

4 朱挺;刘铖;胡海岩;;基于绝对节点坐标方法描述的薄膜结构接触/碰撞动力学研究[A];中国计算力学大会2014暨第三届钱令希计算力学奖颁奖大会论文集[C];2014年

5 刘锦华;姚冰;郝万立;;温度条件对锆钒薄膜结构的影响[A];第十届中国核靶技术学术交流会摘要集[C];2009年

6 杨易;金新阳;杨立国;;薄膜结构风荷载数值模拟的新方法和应用[A];第十四届全国结构风工程学术会议论文集(下册)[C];2009年

7 王卿璞;;ZnMgO薄膜结构与光电特性研究[A];第八届中国功能材料及其应用学术会议摘要[C];2013年

8 王晓姹;李志青;吴萍;姜恩永;白海力;;退火对于碳氮薄膜结构的影响[A];TFC'05全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集[C];2005年

9 李圣明;王旭;毛东兴;;亚波长尺寸薄膜结构的低频隔声研究[A];2016年全国声学学术会议论文集[C];2016年

10 马瑞强;卫剑征;谭惠丰;;非定常气流对柔性薄膜结构振动特性的影响[A];中国力学大会-2015论文摘要集[C];2015年

相关重要报纸文章 前1条

1 刘宇飞 成正爱;薄膜结构让空间折展稳且轻[N];中国航天报;2017年

相关博士学位论文 前10条

1 解为梅;掺杂InN薄膜的输运性质与磁学性质研究[D];南京大学;2017年

2 李玮;垂直磁各向异性FePt薄膜的微观结构与织构研究[D];北京科技大学;2018年

3 黎明锴;中频磁控溅射制备AIN薄膜及其离子注入研究[D];武汉大学;2004年

4 宋青林;薄膜热学特性研究[D];中国科学院研究生院(电子学研究所);2004年

5 汪春昌;La_2CuO_4体材料和薄膜的掺氧及相关性能的实验研究[D];清华大学;2004年

6 李庆祥;薄膜结构的动力分析和风致气动力失稳研究[D];浙江大学;2006年

7 何志巍;超低介电常数材料纳米多孔SiO_2和SiO_2:F薄膜的制备及其物性研究[D];兰州大学;2006年

8 付煜;超高密度磁记录磁头材料Fe-Co薄膜的研究[D];兰州大学;2006年

9 刘晖;金属—绝缘体颗粒薄膜的输运特性研究[D];天津大学;2004年

10 邹优鸣;宽带隙半导体ZnO(及SiC)薄膜的制备及其物性研究[D];中国科学技术大学;2006年

相关硕士学位论文 前10条

1 木塔力普·吐尔洪;脉l柤す獬粱ㄖ票窮eGa薄膜与其磁性能研究[D];上海师范大学;2018年

2 周亚君;薄膜力学性质及台阶势垒影响下的表面形貌计算模拟研究[D];电子科技大学;2018年

3 肖仕清;金属离子掺杂、修饰增强FTO薄膜光电化学性能的研究[D];浙江师范大学;2017年

4 李俊青;氧化钽薄膜的制备及表征[D];河北师范大学;2018年

5 滕悦;d_2族掺杂二硫化钼薄膜的第一性原理研究[D];哈尔滨工程大学;2017年

6 赵倩;染敏电池AZO透明导电膜制备及喷镀敏化研究[D];沈阳建筑大学;2015年

7 胡凯;VO_2外延薄膜各向异性金属—绝缘体转变的调控研究[D];中国科学技术大学;2017年

8 张文文;金属掺杂氧化钇薄膜的制备及其特性研究[D];延边大学;2017年

9 张文元;多孔VO_2薄膜智能调光材料的制备与性能研究[D];武汉理工大学;2015年

10 张文强;Nd_2O_3掺杂HfO_2高k栅介质薄膜的ALD制备及性能研究[D];北京有色金属研究总院;2017年



本文编号:2827603

资料下载
论文发表

本文链接:https://www.wllwen.com/kejilunwen/cailiaohuaxuelunwen/2827603.html


Copyright(c)文论论文网All Rights Reserved | 网站地图 |

版权申明:资料由用户0fc02***提供,本站仅收录摘要或目录,作者需要删除请E-mail邮箱bigeng88@qq.com