填隙法在抛光铜衬底上制备高质量石墨烯薄膜

发布时间：2024-11-12 21:14

　　 本文对在抛光铜衬底上通过填隙法制备的高质量石墨烯薄膜进行了详细研究。在电化学机械抛光后的铜衬底上制备石墨烯晶畴,降低了晶畴的成核密度。利用光学显微镜和扫描电子显微镜对抛光铜衬底和未抛光铜衬底上制备的石墨烯晶畴进行测试,测试结果表明,铜衬底的表面形态对于降低石墨烯的成核密度,增大石墨烯晶畴的尺寸起到了至关重要的作用。利用拉曼面扫描证明了所制备的石墨烯晶畴为单层、均匀的石墨烯晶畴。然后,通过填隙法在抛光铜衬底上制备出由大尺寸单层的六边形石墨烯晶畴组成的石墨烯连续薄膜,并且通过流程示意图解释了填隙法制备高质量石墨烯薄膜的过程。本文所提出的在抛光铜衬底上通过填隙法制备石墨烯薄膜的技术,能够有效提高石墨烯薄膜的质量,进而有效改善石墨烯基电子器件的性能。

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【部分图文】：

为了进一步确定铜衬底表面的粗糙程度与石墨烯晶畴的形态和密度有关,在电化学机械抛光后的铜衬底表面进行划刻,如图2(a)所示为划刻后的抛光铜衬底的光学照片,虚线为划刻区域。将划刻后的铜衬底放入生长室,在相同条件下制备石墨烯晶畴,利用SEM对样品进行测试,测试结果如图2(b)所示。能够....

图1(a)未抛光、(b)机械抛光和(c)电化学机械抛光铜片的光学显微镜图像;(d)未抛光和(f)抛光铜衬底上制备的石墨烯晶畴转移到SiO2衬底之后的光学显微镜图像;(e)放大的双层石墨烯晶畴的光学显微镜图像在石墨烯的制备过程中,生长温度、生长时间、气体流量和气体分压等生长参数对....

在石墨烯的制备过程中,生长温度、生长时间、气体流量和气体分压等生长参数对石墨烯晶畴的尺寸和形状有着重要的影响[8,29]。经过一系列的生长参数优化实验,在抛光铜衬底上制备出六边形的石墨烯晶畴。图3(a)、3(b)和3(c)分别展示了制备时间为60min时制备的六边形石墨烯晶畴的....

图3六角形石墨烯晶畴的(a)光学显微镜照片、(b)扫描电子显微镜照片和(c)原子力显微镜照片;(d)2D峰和G峰比值的拉曼面扫描测试;(e)典型的石墨烯晶畴的拉曼光谱当延长生长时间至90min时,石墨烯晶畴的尺寸从50μm增大到大约300μm,如图4(a)和4(b)所示,....

本文编号：4011967