电化学沉积制备纳米晶Bi-Te薄膜及其表征（英文）

发布时间：2017-07-02 07:21

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【摘要】：采用恒电流电化学沉积工艺制备Bi-Te二元薄膜。随着沉积时间的变化,在同一个电极上依次出现了单相的Bi_2Te_3和Bi_4Te_3薄膜。其中,Bi_2Te_3薄膜是由规则的长度为100 nm左右,平均宽度为10 nm的纳米棒组成,其具有非常大的比表面积,非常有利于其作为热电材料的应用。而Bi_4Te_3薄膜是由纳米颗粒团聚而成的不规则多面体组成。研究证明通过改变沉积参数,有可能在Bi-Te二元系统的沉积过程中对生成物的相组成和形貌进行调控。
【作者单位】： 台州学院;西北有色金属研究院;
【关键词】： 电化学沉积 恒电流 薄膜 热电材料 Bi_Te_ 纳米棒
【基金】：National Natural Science Foundation of China(51201053) Zhejiang Province Xinmiao Talent(2013R407015)
【分类号】：TB383.2
【正文快照】： Bismuth telluride(Bi2Te3)and its alloys are known as one of the best thermoelectric(TE)materials currently available near room temperature with their highest figure of merit ZT≥1,and most modern thermoelectric coolers,thermal sensors,and so on,are made

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本文编号：508988