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基于GaN的高频高升压比改进型SEPIC变换器研究

发布时间:2020-07-16 15:31
【摘要】:近年来随着宽禁带半导体GaN和SiC的出现,功率变换器正逐渐朝着高频化、小型化的方向发展,系统功率密度得到大幅提升。但开关频率的提高会增大寄生参数对系统工作状态影响,同时开关损耗的增加会降低整体的工作效率。故本课题应用GaN器件,提出了一种适用于高频高升压比场合的改进型SEPIC变换器。由于开关管工作于软开关状态,可有效降低开关损耗,提高系统的工作效率,并采用平面磁性元器件,有效提升了功率密度。相比于传统的SEPIC变换器,所提拓扑结构增加了由二极管和电容构成的倍压单元和升压变压器,提高了电压增益,且利用开关管并联电容与变压器原边电感谐振,实现准谐振工作状态,同时降低了开关管两端的电压应力。本文提出了参数优化设计方法,保证了开关管在宽输入电压和输出负载变化范围内可实现软开关。针对传统硬驱动电路在高频条件下损耗高的问题,本课题还针对GaN器件采用了一种高频谐振式门极驱动电路,将电路中的寄生参数加以利用,改善了芯片式驱动方案的通断速率。并且通过设计N沟道和P沟道MOSFET的开关时序,有效降低了门极驱动电路损耗,优化了驱动电路的开关速率。在高频变换器中,磁性元件设计是课题研究的重点。平面化可降低变换器高度,绕组具有可复制性强且散热性能更好等优点,但需要考虑寄生、漏感以及磁损等问题。本文综合了寄生电容和漏感两方面影响,建立了部分交叉结构的变压器模型。同时为进一步降低变换器体积,采用了磁集成方案,将电感与变压器集成于同一磁芯,有效降低成本且提高系统功率密度。为获得更好的动态响应,本文采用了适用于谐振变换器的广义状态空间平均法进行建模,得到了对应的小信号模型,并利用开环波特图设计补偿网络,优化了系统的动态性能。同时针对所提变换器工作特性,提出了PWM与PFM混合式控制策略,在实现恒流输出的同时保证了系统的软开关特性。本课题设计并搭建了一台额定输出功率为36W的实验样机,其输出电流为0.3A,工作频率为1MHz,满载时系统的工作效率达到91.2%,实验结果与理论分析一致,验证了理论研究的正确性。
【学位授予单位】:哈尔滨工业大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2019
【分类号】:TM46
【图文】:

元器件模型,磁性,平面


S3S4D3D4图 1-11 四个开关管的谐振式电流源驱动电路图件研究现状电子行业的发展中起着关键作用,通常与半导,在工业电子、电信基础设施设备、服务器和子等领域均有应用。近年来,随着新型高频开要发展趋势为高频化和小型化,而传统的绕线体积的大小。自 20 世纪 60 年代以来,平面磁问题。早期对平面磁性元件的研究主要集中在0 世纪 90 年代早期出现了许多关于平面磁性元4]-[45]。近年来,随着印刷电路板(PCB)技术的快广泛应用起来[46]。

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本文编号:2758178

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