ⅡA、ⅡB金属磷化物的结构及性能的第一性原理研究
【学位授予单位】:燕山大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2019
【分类号】:TM912;O641.4;TB34
【图文】:
燕山大学工学硕士学位论文材料上时,如果光辐射的能量值大于带隙的能量值,半导体材料价吸收来自光辐射的能量,这些电子会从价带被激发到导带。这时,导带内部增加了电子,空穴和电子都会集中于半导体表面上。如中,水中的氢离子便会和电子反应生成氢气。从热力学角度分析势位置需要比水氧化成氧气的电势位置(0.82 eV)低,半导体导比氢离子还原成氢气的电势位置(0.41 eV)高,半导体的带隙值 1.23 eV。因此,寻找拥有合适的带隙值和带隙所处位置的半导体剂的突破口。例如,Fu[10]等人测试发现,FeP/CdS 复合材料在酸性大的析氢效率。实验研究表明,工作时,CdS 和 FeP 的界面处形导体异质结体系达到平衡时,被分离的电子很容易被转移到 Fe产生的空穴可以及时发生氧化反应。基于该理论,FeP 可以有效对的复合,提高光催化生产 H2的反应效率。
- 25 -图 3-1 Mg-P 与 Ca-P 体系的晶体结构 a-c:MgP4;d-e:Ia3-Mg3P2;f-g:Pn3m-Mg3P2;h-j:CaP3;k-m:Ca5P8;n-o:CaP;其中棕球为镁原子,蓝球为钙原子,黄球为磷原子
Ca-P,Sr-P 体系晶体在等值面为 0.75 时的电子局域函数 a):MgP4;b):P2;c):Ia3-Mg3P2;d):CaP3;e):Ca5P8;f):CaP;g):Sr3P14;h): -SrP3;i): j):SrP2;k):Sr3P4;l):SrP 3-7d-f 所示,可以看到在 CaP3,Ca5P8和 CaP 晶体中,Ca 原子的周围的分转移到了 P 原子周围,这仍是存在电负性差所致(Ca 的电负性为 1.00性为 2.19)。由表 3-4 可知 Ca-P 体系晶体的 Bader 电荷转移数,Ca 的转 1.36-1.40e 之间,没有达到 2e,因此 Ca-P 键既有离子性,又存在一些共子周围和 P 原子之间也有不同程度的局域电子,可以推知 Ca-P 体系中存键。也可看出随着 Ca 成分的升高,Ca 原子的 Bader 电荷转移数逐渐降低 g-l 所示,在 Sr3P14, -SrP3, -SrP3,SrP2,Sr3P4,SrP 的晶体结构中,与Ca-P 体系不同的是,金属 Sr 原子周围仍存在一定数目的局域电子,但是
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