基于TEV的10kV开关柜局部放电检测与模式识别
【学位单位】:北京交通大学
【学位级别】:硕士
【学位年份】:2019
【中图分类】:TM591;TM855
【部分图文】:
时有效的发现局部放电故障,降低电力系统的安全隐患。国网电科院2004年对逡逑40.5kV以下的开关柜设备进行统计分析,因内部绝缘缺陷而引发的绝缘故障占比逡逑最高达到35%左右[7],各开关柜故障类型分布如图1-1所示。据广东供电公司在逡逑1998-2002年间对开关柜设备进行统计分析,因内部绝缘故障而引发的故障占故障逡逑总数的66%[8]。逡逑综上所述,对开关柜进行局部放电状态监测能够及时有效的掌握开关柜内部逡逑设备的绝缘状况,预防潜伏性故障和突发性故障,从而避免开关柜停电事故的发生,逡逑确保10kV开关柜安全稳定的运行;还能及时获取局部放电的特征,为开关柜检修逡逑工作提供重要的参数和依据,对安排开关柜检修工作具有指导性意义。逡逑外力及其他故障逡逑拒动故逦、逡逑_绝缘故障逡逑"jiff逡逑开关与断和逡逑误动故障逡逑图1-1邋2004年高压开关设备事故类型分布逡逑Fig.邋1-1邋Type邋of邋high邋voltage邋switchgear邋accidents邋in邋2004逡逑1.2开关柜局部放电检测方法研究现状逡逑当开关柜内部发生局部放电时,会伴随着声、电、热、光等一系列物理现象的逡逑发生,各种检测方法也随着这些物理现象进行发展,针对不同的检测物理量,开关逡逑2逡逑
在电磁波在向外传播接触到开关柜壳体时,会在壳体表面产生一个暂态的地电逡逑压,下面将对这个暂态地电压产生的机理做介绍。逡逑如图2-1所示,中间是一个分界面,分界面右侧媒质为开关柜内部空气,分界逡逑面左侧媒质为开关柜金属壳体,/T为反射波的磁场强度,/T为透射壳体的磁场逡逑强度,/T为入射波的磁场强度,£_为反射波的电场强度,五+为入射波电场强度。逡逑\逡逑^逦H+逡逑—I邋—逡逑£+0逦2逦0邋E+逡逑X邋<逦逦逡逑图2-1暂态地电压产生原理逡逑Fig.邋2-1邋The邋principle邋of邋transient邋earth邋voltage邋generation逡逑为了简化分析,设开关柜金属壳体为纯导体。由于纯导体的内部场强为零,因逡逑此分界面处的入射波场强分量和反射波场强分量相位相反即满足条件:逡逑E++E ̄邋=邋0逦(2-1)逡逑7逡逑
^为磁导率。逡逑电磁波在开关柜表面上某一点产生的暂态地电压信号t;:逡逑U邋=邋i-Z=J^-jaE(t)ds器选择与校验逡逑EV传感器的选择与校验逡逑内部设备发生局部放电时会产生高频电磁波,电磁波透传播,在开关柜表面会形成暂态地电压,一般采用TEVV传感器的检测原理如图2-2所示。逡逑U逡逑
【参考文献】
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本文编号:2833069
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