基于复合式全桥LLC谐振变换器的充电模块研究与设计
【学位单位】:西安理工大学
【学位级别】:硕士
【学位年份】:2019
【中图分类】:TM46
【部分图文】:
高温高压特性可以使器件应用在条件更为苛电路拓扑结构;高频特性可以减小系统中无源元件的体积积和尺寸。如图 1-1 所示为单个 H 桥 LLC 拓扑,把原来的,此电路的优点很明显,解决了高压问题,电路结构简单:电压增益范围受限,达不到我们的需求[8-10]。
Fig.1-1 H-bridge LLC circuit topologyLC 谐振拓扑示为 Si-MOS 的三电平 LLC 谐振电路。在高电压的需求下 Si-MOS,因为每个开关的承受电压几乎为输入电压的一SiC-MOS,所以成本稍微低一点,但是驱动逻辑会稍微复也存在范围不够宽的问题[11]。
如图 1-3 所示为两个 H 桥 LLC 交错并联电路。两个 LLC ,输出的电流纹波可以相互抵消,进一步减小输出滤波电LLC 的缺点,增益特性不理想。当在频率上限时加入调宽调的问题。又因为是多个 H 桥电路,每个开关需要单独的PWM 数目要求较高,很多时候一个 DSP 芯片难以满足[12-1
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本文编号:2834783
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