IGBT隔离驱动及保护技术研究
【学位单位】:合肥工业大学
【学位级别】:硕士
【学位年份】:2019
【中图分类】:TM46
【部分图文】:
一些具有主动开关功能的半导体器件(如功率 MOSFT 集成模块,它们和 IGBT 一起,已经逐渐开始取代传统的晶中晶闸管也在慢慢消失。而相对于其他大功率半导体器件, 显示出其一系列的优势。例如,IGBT 和 MOSFET 可应用于到被动的短路关闭的任何情况,无须关闭整个网络,同时还具时间短和开关损耗相对较低等优点。微电子技术的快速发展,半导体器件变得更容易且成本更低廉[7]。随着电力电子技术的变革,目前市场上的 IGBT 模块从高到低主要含有 3600A500V、800A/6500V 等众多产品。T 作为新一代的功率半导体典型代表,其具有十分优异的性能够广泛适用于交直流变换、U/I 变换的场景中,且损耗低。从、配电,新能源发电、智能家居等新兴产业发挥巨大优势。同等化合物为代表的半导体是新兴材料的发展热点[8],这些材料压、高频率、高温度的使用环境中,从而将会占有很大的市场电力电子技术发展方向与应用前景。
图 1.3 iCoupler 技术简图Fig 1.3 Technical sketch of iCoupler如图 1.3 所示,在整个系统中,初始信号中的上升沿经过译码装置,变换为短连续信号,同时下降沿转换为单一短脉冲。两种短脉冲通过变压器隔离,传输到二次端,最终经过解码装置回复到初始信号,整个过程并不会导致信号的丢失与损坏。文献[16]在基于 iCoupler 技术的信号传输原理的基础上,提出了一种新型的脉冲宽度编解码方法,与 iCoupler 技术的原理对比如图 1.4 所示。INCPDDOUTINCPDDOUT(a) (b)
第五章 驱动电路隔离电源分布参数影响及设计输到二次侧,而且随着分布电容 和 的增。所以,分布电容 、 和 应越小越好。通密度和高频低损耗特性,选择铁氧体材质的磁体材质的磁芯还具备较高的磁通密度和较低情况下,不用类型的磁芯,其分布参数也各不环和 EP13 号磁芯进行了部分参数实验测试,并异。
【参考文献】
相关期刊论文 前10条
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相关硕士学位论文 前2条
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本文编号:2854045
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