忆阻器单元温度特性和高速开关特性研究

发布时间：2017-11-05 06:26

  本文关键词：忆阻器单元温度特性和高速开关特性研究

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【摘要】：忆阻器是一种具有记忆功能的新型非线性电阻,它的电阻大小由流经其内部功能层电荷的方向和数量决定,所以它能记忆器件每时每刻流经的电荷量。忆阻器具有良好的非线性阻变特性,同时,还具有高速、高密度、易集成、计算与存储融合等优点,是下一代新型存储器发展的一个重要方向。本文首先重点研究了忆阻器的变温测试方法,并研制了忆阻器变温测试系统,通过测试来表征忆阻器单元的温度特性,诸如阈值电压、高低电阻值、稳定性等参数的变化,最后对这些数据进行分析来研究温度对忆阻器单元阻变过程的影响,并且尝试对变温条件下忆阻器单元阻变机理进行解释。另外,本文搭建了忆阻器高速测试平台,并对忆阻器单元进行了高速I-V测试分析。结果表明,忆阻器单元在最短在脉宽17ns的条件下仍能达到15倍的阻变窗口。以上研究对于忆阻器器件可靠性及其在存储器和神经网络等方面的应用有一定的参考价值。
【学位授予单位】：华中科技大学
【学位级别】：硕士
【学位授予年份】：2015
【分类号】：TM501

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本文编号：1142983