CBD法制备大面积CdS薄膜及光伏应用

发布时间：2017-11-08 22:16

  本文关键词：CBD法制备大面积CdS薄膜及光伏应用

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【摘要】：硫化镉在薄膜太阳电池中应用广泛。无论在CIGS(I III V材料)还是Cd Te(II VI材料),或者CZTS薄膜材料体系电池中,Cd S都是非常关键的一层。在Cd Te电池中Cd S作为n型半导体材料,在CIGS薄膜太阳电池中Cd S作为缓冲层介于CIGS和Zn O之间的关键层,一方面作为n型半导体材料,另一方面可以调节CIGS和Zn O带隙梯度。为了制备透明的和高电阻率的Cd S薄膜,研制出很多种方法制备获得。如化学气相沉积(CVD),电镀,射频磁控溅射,化学水浴法。而制备无针孔的Cd S薄膜一般使用CBD法,其价格低廉且所制备的薄膜与CIGS晶格失配较小。在用CBD法制备Cd S薄膜有使用缓冲剂的低氨的方法,也有不使用缓冲剂的高氨的方法。本文采用化学水浴法制备10cm×10cm大面积Cd S薄膜。调整合适的工艺参数为达到节约资源,提高沉积速率,制备透过率高均匀性好的Cd S薄膜,并且在光伏器件中作为缓冲层使用。其反应包含两个部分即孤立离子之间发生化学反应即异质成核和反应生成的分子团聚集过程即同质成核。这两部分反应是竞争反应,而异质成核所制备的薄膜透过率和附着性都是比同质反应要好的,所以需要调整合适工艺参数使得薄膜生长大部分处于异质生长成膜。本文通过一些正交实验在不同的温度条件下调节转子转速和药品计量比来满足该需求。
【学位授予单位】：天津理工大学
【学位级别】：硕士
【学位授予年份】：2015
【分类号】：TM914.4

【参考文献】

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1 曹敏;门传玲;邓闯;田子傲;安正华;;CdS薄膜的真空热蒸发制备及在CIGS薄膜太阳电池中的应用[J];半导体光电;2014年02期

2 敖建平;孙云;刘琪;何青;孙国忠;刘芳芳;李凤岩;;CIGS电池缓冲层CdS的制备工艺及物理性能[J];太阳能学报;2006年07期

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本文编号：1159077