退火工艺对制备二硼化镁超导薄膜的影响

发布时间：2017-12-15 20:02

  本文关键词：退火工艺对制备二硼化镁超导薄膜的影响

  更多相关文章： MgB 化学气相沉积 超导薄膜 退火工艺

【摘要】：采用了化学气相沉积法(CVD),在低真空环境下制备出Mg B_2超导薄膜,并探索了退火温度、退火时间、降温速率对Mg B_2薄膜性能的影响。采用X射线衍射仪、扫描电镜和低温电导率测试系统对样品的晶体结构、表面形貌和超导电性进行了系统分析。研究表明:退火温度在780℃,退火时间为120min,退火后的降温速率控制在16℃/min左右,制备出的Mg B_2薄膜超导转变温度T_(c(onset))为39.5K,超导转变宽度ΔT_c为2K,表现出最优的超导性能,同时薄膜的成品率显著提高。证明了通过优化后,退火工艺可以显著提高Mg B_2的超导性能。
【作者单位】： 贵州大学大数据与信息工程学院;
【基金】：国家自然科学基金项目(51462003) 贵州省国际科技合作计划项目(2013-7012) 贵州大学研究生创新基金(2015084)资助
【分类号】：TM26;TB383.2
【正文快照】： 1引言Mg B2超导体具有39K的超导转变温度,是金属化合物超导体中转变温度最高的,因此,引起了科学家们的极大关注[1]。Mg B2超导体具有良好的特性,诸如简单的晶体结构,相对较大的相干长度以及较高的临界电流等,使其在电子学领域应用有着广阔的前景[2-4]。而制备高质量Mg B2薄膜

【相似文献】

中国期刊全文数据库 前10条

1 靳全胜;;球墨铸铁压板退火工艺的改进措施[J];大众科技;2009年08期

2 王一川;;冶金低碳钢质量的退火工艺分析[J];科技信息;2011年20期

3 鄢如天;;小议双零铝箔的退火工艺改进及其轧制工艺控制[J];今日科苑;2007年18期

4 叶庆;;退火工艺及材料成型中类比法运用[J];科技信息;2014年13期

5 李朝阳;邢丕峰;郑凤成;李国荣;;退火工艺对ICF靶用冷轧镍膜的影响[J];强激光与粒子束;2007年12期

6 张家祥;卢凯;郭建;姜晓辉;崔玉琳;王亮;阎长江;曲连杰;陈旭;闵泰烨;苏顺康;;TFT-LCD器件氧化铟锡层无退火工艺研究[J];液晶与显示;2014年01期

7 章天金;退火工艺对BST薄膜电学性能的影响[J];湖北大学学报(自然科学版);2001年04期

8 闫都伦;姜翠宁;王克斌;王珏;;不同退火工艺对AZO膜性能的影响[J];真空;2011年01期

9 呼努斯图,李国栋,王金枝;退火工艺对Nd_(4.5)Fe_(77.5-x)Tb_xB_(18)(x=0,1)合金磁性能的影响[J];内蒙古师范大学学报(自然科学汉文版);2005年02期

10 晁崇_，

本文编号：1293230