同轴结构半径突变处补偿电容的计算分析

发布时间：2017-12-18 10:20

本文关键词：同轴结构半径突变处补偿电容的计算分析

【摘要】：若同轴结构的横向尺寸远小于电磁波的波长,半径突变处电场畸变的影响可以等效为一个补偿电容。利用分离变量法,推导出了同轴结构半径突变处补偿电容的精确计算模型,计算分析了半径变化对补偿电容值的影响规律,并与有限元软件对比,验证了计算模型的正确性。同时讨论了平行平板结构尺寸突变处补偿电容计算公式近似应用于同轴结构时的适用性,并给出了一个计算实例分析补偿电容对时域波形的影响。
【作者单位】：新能源电力系统国家重点实验室(华北电力大学);
【基金】：国家电网公司科技项目“特高压GIS变电站VFTO关键技术应用研究”资助
【分类号】：TM53;TM12
【正文快照】： 0引言在电力测试线、GIS套管、微波传输和耦合电路等同轴结构中,常会出现导体半径的突变。半径的突变会激发起高阶电磁模式[1]。在单模工作状态下,这些高阶模式主要分布在突变处附近,沿两侧会呈指数衰减。文献[2-4]基于全波的方法分析得出,高频时,在半径突变处两边的外导体上

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