硅片及其太阳电池的光衰规律研究

发布时间：2018-01-23 11:17

本文关键词： 硅光致衰减少子寿命太阳电池　出处：《物理学报》2014年02期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：采用氙灯模拟太阳光源,将光强调至1000 W/m2,研究常规太阳能级单晶硅片、多晶硅片和物理提纯硅片的原片、去损减薄片、热氧化钝化片、双面镀氮化硅(SiN x:H)膜钝化片、碘酒钝化片以及太阳电池的光衰规律.利用WT-2000少子寿命测试仪以及太阳电池I-V特性测试仪分别对硅片的少子寿命和太阳电池的I-V特性参数随光照时间的变化进行了测试.结果表明:所有硅片以及太阳电池在光照的最初60 min内衰减很快随后衰减变慢,180 min之后光衰速率变得很小,几乎趋于零.
[Abstract]:The xenon lamp was used to simulate the solar light source, and the light was emphasized to 1000W / m2. The conventional solar single crystal silicon wafer, polycrystalline silicon wafer and physical purified silicon wafer were studied. SiN x: h) film passivated with silicon nitride on both sides. The rule of light decay of iodized wine passivated sheet and solar cell. The minority carrier lifetime of silicon wafer and the I-V characteristic parameter of solar cell were measured by WT-2000 minority carrier life tester and solar cell I-V characteristic tester, respectively. The results show that:. The decay of all silicon wafers and solar cells within the first 60 min of light quickly attenuated and then slowed down. After 180 min, the light decay rate becomes very small, almost to zero.
【作者单位】：中山大学物理科学与工程技术学院太阳能系统研究所;
【基金】：国家自然科学基金(批准号:50802118) 广东省战略性新兴产业核心技术攻关项目(批准号:2011A032304001) 中央高校基本研究经费青年教师培育项目(批准号:11lgpy40)资助的课题~~
【分类号】：TM914.4
【正文快照】： 1引言自从1973年Fischer和Pschunder[1]第一次发现硼(B)掺杂硅片的光衰现象以来,晶体硅材料及其太阳电池的光衰问题就一直受到人们的关注.1989年Kimerling等[2]提出了施主-受主对(如FeB)分解模型,认为FeB对的光诱导分解使硅太阳电池的性能受到Fe的污染而衰减,但是这一模型不能

【参考文献】