铬掺杂对氧化铝陶瓷真空电绝缘性能的影响

发布时间：2018-02-16 18:39

  本文关键词： 氧化铝陶瓷 表面闪络 掺杂 氧化铬　出处：《人工晶体学报》2014年04期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：陶瓷绝缘子沿面闪络现象是制约电真空器件使用的重要原因。以95%的Al2O3陶瓷为基料,掺杂0~1.5wt%Cr2O3,制备铬掺杂的氧化铝陶瓷绝缘子,研究了铬的掺杂含量对该绝缘材料烧结性能和真空绝缘性能的影响。结果表明:Cr3+掺杂显著降低了95%氧化铝陶瓷的气孔率,促进了陶瓷的烧结,并降低了陶瓷的烧结温度,使铬掺杂氧化铝陶瓷的晶粒更加细小均匀。掺杂量为0.5wt%的Cr2O3真空沿面闪络电压最高,达到65 kV/cm,主要原因是铬的掺杂降低了样品的气孔率和二次电子发射系数,过量掺杂造成了更多的晶体结构缺陷,反而降低了陶瓷绝缘子的真空耐电压。
[Abstract]:The flashover phenomenon of ceramic insulators along the surface is an important factor restricting the use of vacuum devices. Taking 95% Al2O3 ceramics as the base material and doping 0 1. 5 wtCr 2O 3 as the base material, chromium doped alumina ceramic insulators are prepared. The effect of Cr doping content on the sintering and vacuum insulating properties of the insulating material was studied. The results showed that the porosity of 95% alumina ceramics was significantly reduced, the sintering temperature was decreased and the sintering temperature was decreased. The Cr2O3 vacuum flashover voltage of 0.5 wt% is the highest, reaching 65 kV / cm. The main reason is that Cr doping reduces the porosity and the secondary electron emission coefficient of the samples. Excessive doping results in more defects in crystal structure and decreases the vacuum voltage resistance of ceramic insulators.
【作者单位】： 南京工业大学材料科学与工程学院;
【基金】：江苏高校优势学科建设工程 长江学者和创新团队发展计划(PCSIRT)
【分类号】：TM216;TQ175.74

【参考文献】

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本文编号：1516179