PECVD沉积硅薄膜退火性质的分析

发布时间：2018-02-20 03:53

  本文关键词： 等离子体增强化学气相沉积 硅薄膜 退火　出处：《人工晶体学报》2014年12期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)制备硅薄膜,对硅薄膜进行退火处理。通过X射线衍射谱,拉曼光谱以及傅里叶变换红外吸收光谱,研究了退火温度在550~700℃范围内,硅薄膜退火过程中的生长特性。实验表明:多晶硅的晶粒尺寸并不随着退火温度的提高而持续增大,当退火温度在550~650℃范围内,硅薄膜始终表现出(111)方向的择优生长取向。当退火温度高于650℃时,氧原子活性增强,硅-氧键增加。对于存在应变、已结晶的薄膜,由于内部应力的累积,薄膜更容易随着退火温度的升高而脱落。
[Abstract]:Silicon thin films were prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) and annealed. By means of X-ray diffraction, Raman spectroscopy and Fourier transform infrared absorption spectroscopy, the annealing temperature was studied in the range of 550 ~ 700 鈩，

本文编号：1518698