硅太阳能电池的调制载流子红外辐射动态响应与参数分析

发布时间：2018-02-22 02:56

  本文关键词： 调制自由载流子辐射 扫频检测 PN结电容 参数测量　出处：《物理学报》2014年22期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：建立了调制激光诱发硅太阳能电池的少数载流子密度波数学模型,并利用光致载流子辐射检测掺杂浓度、阻抗及载流子输运参数.对频域响应曲线中的双弯曲效应进行了研究,构建了小交流信号作用的太阳能电池等效电路拓扑结构,仿真分析了不同掺杂浓度、阻抗电阻和载流子传输参数对频响曲线拐点的影响.通过光致载流子辐射频域扫描实验与多参数拟合检测了单晶硅太阳电池的施/受主浓度、并联电阻和载流子输运参数.结果表明:光致载流子辐射技术检测大面积太阳能电池频响曲线的双弯曲是由电容效应所引起的,建立的数学模型可定量描述和预测检测结果,并用于测量太阳能电池的掺杂浓度、电阻和载流子输运参数.
[Abstract]:A mathematical model of minority carrier density wave for modulated laser induced silicon solar cells is established. The double bending effect in frequency domain response curve is studied by using photoinduced carrier radiation to detect doping concentration, impedance and carrier transport parameters. The topology of solar cell equivalent circuit with small AC signal is constructed, and the different doping concentration is simulated and analyzed. The influence of impedance resistance and carrier transmission parameters on the inflexion point of frequency response curve was studied. The concentration of single crystal silicon solar cell was measured by photo-induced carrier radiation frequency-domain scanning experiment and multi-parameter fitting. Parallel resistance and carrier transport parameters. The results show that the double bending of the frequency response curve of a large area solar cell is caused by the capacitance effect, and the established mathematical model can quantitatively describe and predict the detection results. It is also used to measure the doping concentration, resistance and carrier transport parameters of solar cells.
【作者单位】： 哈尔滨工业大学机电工程学院;Center
【分类号】：TM914.41

【参考文献】

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本文编号：1523477