真空、直流电压的电子辐射环境中聚酰亚胺材料的沿面闪络特性

发布时间：2018-03-28 02:24

  本文选题：电子辐射　切入点：沿面闪络　出处：《高电压技术》2014年01期

【摘要】：为了提高聚酰亚胺材料(PI)在复杂工程环境下的可靠性,实验研究了真空电子辐射下PI的直流沿面闪络特性,并采用热刺激电流(TSC)法测试辐射前后试样的陷阱参数。结果表明,当辐射电子能量在0.5～20 keV范围内时,试样表面的闪络电压高于无辐射情况下的闪络电压;电子能量越高,介质表面正电荷密度和相对介电常数越小,陷阱深度增大,表面电场均衡性有所提高,因此闪络电压越高;在辐射电子能量不变情况下,束流密度越大,初始电子数越多,泄漏电流越大,则闪络电压越低。
[Abstract]:In order to improve the reliability of polyimide (Pi) material under complex engineering environment, the DC flashover characteristics of Pi under vacuum electron radiation were studied experimentally, and the trap parameters of samples before and after radiation were measured by thermal stimulated current (TSCC) method. When the radiation electron energy is in the range of 0.5 ~ 20 keV, the flashover voltage on the surface of the sample is higher than that without radiation, and the higher the electron energy is, the smaller the positive charge density and the relative dielectric constant of the dielectric surface are, and the depth of the trap increases. The higher the surface electric field equalization is, the higher the flashover voltage is, and the lower the flashover voltage is, the higher the beam density is, the more the initial electron number is, and the larger the leakage current is.
【作者单位】： 西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室;上海市空间飞行器机构重点实验室;
【分类号】：TM21

【参考文献】

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【共引文献】

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本文编号：1674351