二次丝印对硅电池填充因子和转换效率的影响

发布时间：2018-08-10 07:16

【摘要】：考虑到在印刷过程中存在栅线展宽效应,通过理论与实验分析一次印刷和二次叠印过程中栅线展宽对栅极线宽和线高的限制和导致电池片的电极电阻和填充因子的变化,建立栅极电阻和填充因子理论模型。研究表明,丝网二次叠印电池片的填充因子比丝网一次印刷的填充因子小1%,但其短路电流密度比一次印刷高0.33 mA/cm2,开路电压比一次印刷高1.1 mV,最终晶体硅太阳电池片的转换效率比一次印刷提高0.391%。提出采用设计印刷线宽消除因叠印栅线展宽而产生的填充因子减小,以获得更高的硅太阳电池转换效率,并建立实际印刷线宽半经验模型。
[Abstract]:Considering the effect of grid line broadening in the process of printing, the limitation of grid line width and line height and the change of electrode resistance and filling factor of battery chip are analyzed by theoretical and experimental analysis. The theoretical model of gate resistance and filling factor is established. Research shows that The filling factor of screen reprinted battery chip is 1 less than that of screen printing, but its short-circuit current density is 0.33 Ma / cm ~ 2 higher than that of single print, and the open circuit voltage is 1.1 MV higher than that of single print. Finally, the conversion effect of silicon solar cell chip is obtained. The rate is 0.391g higher than one printing. In order to obtain higher conversion efficiency of silicon solar cells, a semi-empirical model of printing linewidth is established by using design printing linewidth to eliminate the decrease of filling factor caused by overprint gate line broadening.
【作者单位】： 江南大学物联网工程学院;江南大学理学院;
【分类号】：TM914.4

【参考文献】

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【共引文献】

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本文编号：2175348