基于载流子选择性接触的N型晶硅电池钝化特性研究

发布时间：2021-05-17 03:05

　　为了研究载流子选择性接触结构在N型晶硅电池钝化特性,本文设计了专门的材料结构。分析对比了不同掺杂浓度分布的材料结构在退火后、沉积SiNx∶H薄膜后及烧结后隐开路电压值的变化,并对其钝化机理进行了分析。研究结果表明隐开路电压值对掺杂浓度分布非常敏感。随着掺杂浓度分布进入硅基体的"穿透"深度增加,相对应地退火后、SiNx∶H薄膜沉积后及烧结后隐开路电压值均呈现先增加后减小的趋势,且样片沉积SiNx∶H薄膜后隐开路电压的增加幅度也逐渐减小,而样片烧结后隐开路电压值又出现不同幅度的下降,且隐开路电压值的下降幅度逐渐减小。通过适当的掺杂工艺,可以使得烧结后的隐开路电压均值达到738 mV。 

【文章来源】：人工晶体学报. 2020,49(09)北大核心

【文章页数】：6 页

【文章目录】：
0 引 言
1 材料结构设计与制作
2 结果与讨论
    2.1 钝化特性结果分析
    2.2 掺杂浓度分布对钝化特性分析
3 结 论


【参考文献】：
期刊论文
[1]高效单晶硅太阳电池的最新进展及发展趋势[J]. 陈俊帆,赵生盛,高天,徐玉增,张力,丁毅,张晓丹,赵颖,侯国付.  材料导报. 2019(01)



本文编号：3190946