掺杂氧化锑对氧化锌电阻片性能的影响

发布时间：2025-01-07 03:42

　　 通过改变氧化锑的含量,分析不同含量对氧化锌电阻片电位梯度、泄漏电流等性能的影响。氧化锑在烧结过程中与氧化锌可以形成尖晶石相,可以抑制氧化锌晶粒尺寸的大小,进而调整电阻片电位梯度。在传统五元配方体系中,通过改变氧化锑的增加,电阻片收缩率逐渐增大,致密度逐渐增加;掺杂适量的氧化锑可以提高电位梯度,降低泄漏电流;掺杂过量的氧化锑会降低电位梯度。

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【部分图文】：

图1 掺杂不同含量氧化锑电阻片的外观

图1中可以看出掺杂不同含量氧化锑后电阻片的外观，随着氧化锑含量的增加电阻片颜色逐渐加深。电阻片外观颜色由浅黄色逐渐变为深绿色。且随着氧化锑含量的增加电阻片的致密度逐渐提高，气孔逐渐减少。表2给出了电阻片经过780℃预烧处理后电阻片的直径、重量、收缩率。从表2中可以得到随着氧化锑含....

图2 平均电位梯度随氧化锑掺杂量变化曲线及泄漏电流随氧化锑掺杂量变化曲线

表3给出了掺杂不同含量氧化锑后电阻片电位梯度、泄漏电流。从图2中可以看到当氧化锑的含量为0～1.5kg时，平均电位梯度由161V/mm变为347V/mm;当氧化锑的含量为1.5～4.5kg时，平均电位梯度随着氧化锑的含量增大逐渐减小，由347V/mm减小为145V/m....

图3 样品的SEM图

从图3中可以看出随着氧化锑掺杂量的变化电阻片的显微结构。随着氧化锑掺杂量的增加，电阻片晶粒的平均粒径表现为先减小后增大又减小的趋势，由此可认为电位梯度随着晶粒的增大而减小。3结论

本文编号：4024445