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一款具有高PSRR低压差线性稳压器的研究

发布时间:2017-08-21 23:00

  本文关键词:一款具有高PSRR低压差线性稳压器的研究


  更多相关文章: 低压差线性稳压器 电源抑制比 高频


【摘要】:在手机、MP3、ipad等小型化电子商品不断普及的趋势下,电源管理芯片的研发也逐步成为关注焦点。其中,LDO依赖体积小、外围电路少、无纹波、EMI等独特优势,在电源管理芯片市场中占据较大的市场份额。而在射频电路、数模混合电路以及SOC技术中,电源微弱噪声影响将更为突出。因此,研究一款具有高电源抑制率的LDO极具现实意义。本文旨在研发一款具有高PSRR的LDO,应用于CDMA手机射频电路供电。首先论文深入讨论了LDO中电源噪声传播到LDO输出端的3大途径,即带隙基准模块引入噪声、误差放大器模块引入噪声以及功率级电路引入噪声,并分别讨论了这3大途径引入噪声的机制。基于此,针对功率级电路,采用了前馈纹波消除技术,有效抑制了功率级有限输出阻抗rds以及负反馈环路vgs引入的噪声;针对带隙基准模块电路,采用预稳压技术,有效抑制其引入的噪声;针对误差放大器模块电路,采用N-DA+P-CS组合方式的两级误差放大器,有效提高其电源抑制能力。其次,针对环路稳定性问题,论文分析了常用的三种频率补偿方法,采用含伪ESR电阻的固定零点频率补偿技术作为本设计的稳定性设计方案,确保了充裕相位裕度。另外,还设计了过温保护、过流保护以及短路保护等保护电路。最后基于华润上华0.5μm N阱工艺,在工艺角为tt、常温、供电电压5V、负载电容CL为10μF条件下,进行电路设计与仿真。仿真结果为,最小压降Vdrop约为200mV;在负载电流Iload为200mA的条件下,静态电流Iq约为116μA;线性调整率SV约为0.05%;负载调整率SI约为0.15%;低频下,LDO的电源抑制比不小于80dB;当1KHZf10KHZ时,LDO的电源抑制比大于50dB。
【关键词】:低压差线性稳压器 电源抑制比 高频
【学位授予单位】:华中科技大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2015
【分类号】:TM44
【目录】:
  • 摘要4-5
  • Abstract5-9
  • 1 绪论9-15
  • 1.1 选题意义10-11
  • 1.2 国内外研究现状11-13
  • 1.3 研究内容13-14
  • 1.4 论文组织结构14-15
  • 2 LDO的基本理论15-22
  • 2.1 LDO的分类15
  • 2.2 LDO的基本架构与工作原理15-16
  • 2.3 LDO工作过程16-17
  • 2.4 LDO的关键参数17-21
  • 2.5 本章小结21-22
  • 3 LDO中电源纹波的传输路径以及提高PSRR的方案22-43
  • 3.1 LDO中电源纹波的传输路径22-23
  • 3.2 提高PSRR的方案23-42
  • 3.3 本章小结42-43
  • 4 频率补偿43-55
  • 4.1 常用的三种频率补偿方法43-49
  • 4.2 本设计的频率补偿49-52
  • 4.3 仿真结果52-54
  • 4.4 本章小结54-55
  • 5 LDO辅助电路55-62
  • 5.1 过温保护电路55-58
  • 5.2 过流保护电路58-60
  • 5.3 短路保护电路60-61
  • 5.4 本章小结61-62
  • 6 系统仿真62-69
  • 6.1 直流仿真62-66
  • 6.2 交流仿真66-68
  • 6.3 仿真结果与项目指标比较68
  • 6.4 本章小结68-69
  • 7 总结与展望69-71
  • 7.1 总结69
  • 7.2 展望69-71
  • 致谢71-72
  • 参考文献72-74

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本文编号:715593

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