一种低温度系数的带隙基准电压源设计

发布时间：2017-10-10 10:50

  本文关键词：一种低温度系数的带隙基准电压源设计

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【摘要】：基准电压源是集成电路系统中的重要组成部分,其性能直接影响系统的稳定性和鲁棒性。温度系数是基准电压源的重要性能指标之一,而高阶温度补偿技术是降低基准源温度系数的有效方法。基于标准0.18μm CMOS工艺,设计了一种低温度系数的带隙基准电压源,采用电流模结构的带隙基准电路实现了低电源电压工作,并通过VBE线性化补偿技术实现了在低压下的高阶温度补偿。所设计的CMOS带隙基准电压源在-40~125℃的范围内,温度系数为6.855ppm/℃,低频时电源电压抑制比达到了-95 dB,而电源电压在0.6~1.8 V范围内变化时线性调整率仅为0.2%。仿真实验结果表明,该电路结构能够有效提升带隙基准电压源的温度性能。
【作者单位】： 南京邮电大学电子科学与工程学院;
【关键词】： 带隙基准 温度系数 电流模 电源电压抑制比
【基金】：国家自然科学基金资助项目(61106021) 江苏省高校自然科学研究面上项目(15KJB510020)
【分类号】：TN432
【正文快照】： 0引言随着便携式、穿戴式等应用系统对低压低功耗的基准电压源作为集成电路系统中的重要组成部要求不断提高,使得带隙基准电路的工作电压也越来分,其性能直接影响系统的稳定性和鲁棒性。基准电越低,譬如David C.W.Ng等提出了一种带隙基准电压源可分为电流模带隙基准电压源[1-3

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本文编号：1005956