量子点发光二极管中载流子注入机理的研究

发布时间：2017-10-16 23:27

  本文关键词：量子点发光二极管中载流子注入机理的研究

  更多相关文章： 量子点(QDs) 隧穿注入 空间电荷限制电流(SCLC) 能级 电流密度

【摘要】：针对量子点(QDs)发光二极管(QLED)中载流子注入不平衡的问题,对载流子的注入机理进行了研究。在隧穿注入和空间电荷限制电流(SCLC)模型的基础上,仿真分析了空穴和电子在QDs层的注入情况,制备了QLED的样品。CdSe/CdS作为QDs层,PEDOT:PSS作为空穴注入层(HIL),TPD作为空穴传输层(HTL),Alq3作为电子传输层(ETL)。优选的QDs层厚为25nm时,确定了TPD和Alq3的理论最优厚分别为48和22nm。研究发现,当驱动电压低于6.5V时,隧穿注入电流在载流子的传输过程中起主导作用;高于6.5V时,SCLC在载流子的传输过程中起主导作用。实验结果表明,当Alq3厚为20nm时,器件发出QDs的红光,随着Alq3厚度的增加,器件开始出现绿光,实验结果与仿真结果基本吻合。研究结果对QLED的制备具有理论借鉴意义。
【作者单位】： 北京交通大学电子信息工程学院;北京信息科技大学自动化学院;
【关键词】： 量子点(QDs) 隧穿注入 空间电荷限制电流(SCLC) 能级 电流密度
【基金】：国家“973”计划(2015CB654605)资助项目
【分类号】：TN312.8
【正文快照】：

【参考文献】

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【共引文献】

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本文编号：1045530