复杂结构沿面闪络产生发展阶段模拟研究

发布时间：2017-10-23 14:36

  本文关键词：复杂结构沿面闪络产生发展阶段模拟研究

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【摘要】：以天光Ⅱ-A装置X-pinch负载腔为例,采用包含场致发射、二次电子倍增模型的三维模拟软件OPAL,对复杂结构中真空绝缘体沿面闪络的产生与发展阶段进行了模拟研究。模拟结果表明,阳极产生的二次电子在平行于绝缘体表面的电场分量的作用下从阴极座向大半径的运动,是导致沿面闪络的主要原因。并提出了阻断沿面闪络的方法及其原理。采用阻断沿面闪络的措施后,后续多次X-pinch负载腔放电实验证明,正常的回流电流增加了近20%,真空绝缘体上的沿面闪络得到了抑制。
【作者单位】： 中国原子能科学研究院串列升级工程部;
【关键词】： 真空沿面闪络 场致发射 二次电子倍增 三维模拟研究
【基金】：国家自然科学基金项目(11375274)
【分类号】：TN782
【正文快照】： ~~复杂结构沿面闪络产生发展阶段模拟研究@王川$中国原子能科学研究院串列升级工程部!北京102413 @邹俭$中国原子能科学研究院串列升级工程部!北京102413 @张天爵$中国原子能科学研究院串列升级工程部!北京102413 @曾乃工$中国原子能科学研究院串列升级工程部!北京102413以

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本文编号：1083901