基于空间分光的纳米级调焦调平测量技术

发布时间：2017-10-28 08:21

  本文关键词：基于空间分光的纳米级调焦调平测量技术

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【摘要】：随着半导体制造步入1xnm技术节点时代,调焦调平系统的测量精度达到几十纳米。在纳米尺度范围内,集成电路(IC)工艺对调焦调平测量精度的影响很大。提出一种基于光学三角法和叠栅条纹法的调焦调平测量技术,利用空间分光系统将两组位相差为π的叠栅条纹同时成像到两个探测器上,通过归一化差分的方法计算硅片高度,可有效降低调焦调平测量技术对IC工艺的敏感度,尤其是IC工艺导致的光强变化的敏感性。实验结果表明,该系统测量重复性精度为8nm(3σ),线性精度为18nm(3σ)。当测量光强变化达90%时,该测量技术引起的线性精度变化为15nm(3σ);当光强变化为65%时,线性精度变化小于1nm(3σ)。
【作者单位】： 中国科学院微电子研究所;中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室;中国科学院大学;
【关键词】： 测量 调焦调平 空间分光 硅片高度 集成电路工艺
【基金】：国家科技重大专项(2012ZX02701004)
【分类号】：TN305.7
【正文快照】： 1引言光刻技术是集成电路(IC)制造的核心技术,随着大规模集成电路的发展,光刻机的分辨力逐步提高。通0512002-1过缩短曝光波长和增大投影物镜的数值孔径可显著提高光刻分辨力,但同时导致可用焦深明显下降[1]。为解决可用焦深变小而带来的离焦问题,先进光刻机采用调焦调平技术

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6 赵行九;;数字化电子仪器的原理简介[J];电子技术;1966年01期

7 ;《国外电子测量技术》征稿启事[J];国外电子测量技术;2011年03期

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1 杨传贺;激光差频扫描三维立体测量技术[D];中国海洋大学;2012年

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本文编号：1107417