纳米级MOSFET亚阈值区电流特性模型

发布时间：2017-11-21 01:13

  本文关键词：纳米级MOSFET亚阈值区电流特性模型

  更多相关文章： 纳米级金属氧化物场效应晶体管 亚阈值区 漏极电流 栅极电流 频率依赖性

【摘要】：基于纳米级金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件结构,从基本的漂移扩散方程出发,分别建立了亚阈值区漏极电流模型和栅极电流模型。其中将频率与偏置依赖性的影响显式地体现在模型中。通过对比分析发现亚阈值区漏极电流模型具有等比例缩小的可行性,栅极电流具有跟随性和频率依赖性。同时将所建模型的仿真结果与实验结果进行了比较,验证了模型准确性。
【作者单位】： 西南科技大学信息工程学院;
【基金】：国家自然科学基金(69901003)
【分类号】：TN386.1
【正文快照】： 0引言 集成电路对高集成度、低功耗和工作频率的需求不断提高,使得CMOS技术不断发展。但对于产品设计来说,漏极电流和栅极电流作为MOS器件的重要直流参数,是器件建模和仿真的难点和核心,同时能够准确预测MOSFET高频电流特性的物理数学模型也是至关重要的[1]。 目前对围绕纳

【相似文献】

中国期刊全文数据库 前8条

1 陈宇,牛秀卿;工作在亚阈值区CMOS OTA的研究[J];南开大学学报(自然科学版);2000年01期

2 代月花;陈军宁;柯导明;胡媛;;研究纳米尺寸MOSFETs亚阈值特性的一种新方法(英文)[J];中国科学技术大学学报;2007年11期

3 代月花;陈军宁;柯导明;;摄动法研究纳米MOSFETs亚阈值特性[J];半导体学报;2007年02期

4 朱兆e，

本文编号：1209171