硅基与蓝宝石衬底上的GaN-LEDs性能差异分析

发布时间：2018-01-09 21:55

  本文关键词：硅基与蓝宝石衬底上的GaN-LEDs性能差异分析　出处：《实验技术与管理》2016年03期 　论文类型：期刊论文

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【摘要】：在简要阐述硅基与蓝宝石衬底的GaN研究与发展基础上,就此两种不同衬底上GaN-LEDs性能进行了对比分析,并对这两种衬底上的LED进行了相应的表征实验。通过AFM和XRD等分析手段揭示了器件的结构特性,对器件性能(I-V和EL以及I-L测试)进行了相应的评价。通过分析相关实验数据得出:在电学特性与光学性能两方面,蓝宝石衬底上的LED均优于硅衬底上的LED。
[Abstract]:On the basis of a brief description of the research and development of GaN on silicon and sapphire substrates, the properties of GaN-LEDs on two different substrates are compared and analyzed. The LED on these two substrates was characterized by AFM and XRD. By analyzing the experimental data, it is concluded that the electrical properties and optical properties of the devices are both electrical and optical. The LED on sapphire substrate is better than that on silicon substrate.
【作者单位】： 南通大学电子信息学院;
【基金】：国家自然科学基金面上项目(61475178) 江苏省“六大人才高峰”基金项目(2013-XCL-013) 江苏省高校品牌建设工程一期项目(PPZY2015B135) 南通大学引进人才科研基金项目(03080666) 南通大学校级自然科学基金项目(14Z003;14ZY003) 南通大学课程项目(JP14022;2014B44;2014B43)
【分类号】：TN312.8
【正文快照】： 近年来,新型宽禁带化合物半导体材料的发展迅速,特别是GaN材料。因其具有较好的化学稳定性和热稳定性,在光电子应用领域一直备受关注。由于大尺寸的GaN单晶材料很难获得,通常都通过异质外延方法获取高质量的GaN材料。一般衬底的选择都需遵循一系列的原则,例如晶体结构是否一致

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本文编号：1402636