化学浴沉积ZnSe薄膜材料的结构和光学特性

发布时间：2018-01-14 00:34

本文关键词：化学浴沉积ZnSe薄膜材料的结构和光学特性　出处：《太阳能学报》2017年11期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：采用化学浴沉积(CBD)制备不同膜厚的Zn Se薄膜,用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)分析薄膜结构,结果显示薄膜为纳米晶立方相闪锌矿结构,平均晶粒尺寸约为200 nm,结构致密,(111)晶面择优取向。使用分光光度计测得薄膜透射谱与反射谱,计算和分析材料在可见光区域的吸收系数、消光系数、折射率、光学能隙。结果表明,薄膜透过率、反射率均随膜厚的增加而降低,薄膜在本征吸收区域吸收系数很大,且随波长的减小而增大。膜厚为150、400、630 nm材料对应的光学能隙值分别为3.16、3.14、3.07 e V。
[Abstract]:By chemical bath deposition (CBD) preparation of different Zn Se film thickness, using scanning electron microscopy (SEM) and X ray diffraction (XRD) analysis of membrane structure, it is shown that the film is nanocrystalline cubic zinc blende structure, the average grain size is about 200 nm, compact structure, (111) preferred orientation using spectrophotometer measured film transmission spectrum and reflection spectrum, calculation and analysis of the material in the visible region of the absorption coefficient, extinction coefficient, refractive index, optical band gap. The results show that the transmissivity, reflectivity increases with the increase in the film thickness decreases, the thin film absorption absorption coefficient in this area, and increases with the decrease of the wavelength. The optical film thickness of 150400630 nm material corresponding to the band gap value of 3.16,3.14,3.07 e V. respectively.

【作者单位】：云南师范大学可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室;
【分类号】：TN304.2
【正文快照】： 0引言目前铜铟镓硒(CIGS)及碲化镉(Cd Te)薄膜太阳电池器件结构中缓冲层材料主要选择Cd S,但因镉有毒性问题,故无镉缓冲层材料的研究备受关注。日本Shell采用Zn(O,S,OH)x为缓冲层制作的CIGS太阳电池效率达13.4%,创无镉CIGS太阳电池效率的世界纪录[1]。Zn Se(2.70 e V)作为一种

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