电极和匀气盘结构对PECVD氮化硅薄膜性能的影响

发布时间：2018-01-23 02:39

  本文关键词： 氮化硅薄膜 残余应力 等离子增强化学气相沉积(PECVD) 电极结构 KOH腐蚀　出处：《微纳电子技术》2017年10期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：在衬底温度为400℃、射频功率为20 W的条件下,通过改变SiH_4和NH_3的体积流量比、电极(圆环和平板电极)和匀气盘结构,采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法制备出不同成分的氮化硅薄膜,测量了薄膜的淀积速率、残余应力以及在HF溶液和KOH溶液中的腐蚀速率。实验发现:随着SiH_4和NH_3体积流量比的增大,薄膜的淀积速率变大;相同工艺条件下,采用不同结构的电极淀积的氮化硅薄膜在KOH溶液中的腐蚀速率和腐蚀后的表面形貌都没有明显的差异;相同工艺条件下,使用圆环电极淀积的氮化硅薄膜具有较小的残余应力;使用平板电极淀积的氮化硅薄膜在HF溶液(HF和H_2O的体积比为1∶50)和缓冲氢氟酸(BHF)溶液中有更好的耐腐蚀性;匀气盘对淀积的氮化硅薄膜的淀积速率、残余应力、在HF和KOH溶液中的腐蚀速率几乎没有影响。
[Abstract]:At the substrate temperature of 400 鈩，

本文编号：1456458