高性能钆铝锌氧薄膜晶体管的制备

发布时间：2018-03-13 00:21

  本文选题：钆铝锌氧　切入点：薄膜晶体管　出处：《液晶与显示》2017年05期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：本文研究并制备了钆铝锌氧薄膜和以钆铝锌氧为有源层的薄膜晶体管。钆铝锌氧薄膜材料的光致发光光谱和透过率说明钆铝锌氧薄膜在透明显示方向的应用潜力。透射电子显微镜揭示了钆铝锌氧薄膜的非晶态微观结构。钆铝锌氧薄膜晶体管显示了良好的转移特性和输出特性。器件开关比大于10~5、饱和迁移率约为10cm~2·V~(-1)·s~(-1)。实验结果表明,钆铝锌氧薄膜可用作氧化物薄膜晶体管的有源层材料;钆铝锌氧薄膜晶体管可作为像素电路的驱动器件。
[Abstract]:In this paper, gadolinium aluminium-zinc oxide thin films and thin film transistors with gadolinium aluminum-zinc oxide as active layer have been studied and fabricated. The photoluminescence spectra and transmittance of gadolinium aluminum-zinc oxide thin films show the potential application of gadolinium aluminum-zinc oxide thin films in transparent display direction. The amorphous microstructure of gadolinium aluminum-zinc oxide thin film was revealed by transmission electron microscope. The gadolinium aluminum zinc oxide thin film transistor showed good transfer and output characteristics. The switch ratio of the device was greater than 10 ~ 5, and the saturation mobility was about 10 cm ~ (2) 路V ~ (-1) 路szn ~ (-1) 路szn ~ (-1). Gadolinium aluminum zinc oxide thin film can be used as active layer material of oxide thin film transistor and gadolinium aluminum zinc oxide thin film transistor can be used as driver of pixel circuit.
【作者单位】： 北京大学微电子学研究院;北京大学深圳研究生院;
【基金】：国家自然科学基金(No.61275025)~~
【分类号】：TN321.5

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本文编号：1603979