一种高压摆率低电压CMOS AB类放大器的设计

发布时间：2018-03-23 07:54

  本文选题：模拟集成电路　切入点：CMOS　出处：《沈阳工业大学学报》2017年06期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：为了增加单位增益频率与压摆率,并能够工作在低电源电压下,同时降低偏置电流,提出了一种改进的基于0.18μm CMOS工艺的AB类放大器,其采用多级放大器结构,第一级为具有电流镜负载的NMOS差分对,第二反相级由共源放大器实现,第三极为AB类放大器,其能够在±500 m V电源下工作.电路仿真结果显示该放大器相位裕度为87°;总补偿电容为5 p F,与传统放大器相比减少了50%;单位增益频率为21.17 MHz,比传统放大器增大约10倍;压摆率为7.5和8.57 V/μs,与传统电路相比,分别增加了2.8倍和2.6倍.此外,与其他文献相比,该放大器具有较大的单位增益带宽和压摆率以及较小的功耗.
[Abstract]:In order to increase the unit gain frequency and voltage swing rate, to work at low supply voltage and to reduce the bias current, an improved AB type amplifier based on 0.18 渭 m CMOS process is proposed, which adopts a multistage amplifier structure. The first stage is a NMOS differential pair with a current mirror load, the second inverse stage is implemented by a common source amplifier, and the third is a class AB amplifier. The circuit simulation results show that the phase margin of the amplifier is 87 掳, the total compensation capacitance is 5 p F, and the unit gain frequency is 21.17 MHz, which is about 10 times higher than that of the traditional amplifier. Compared with the conventional circuits, the voltage swing ratio is 7.5 and 8.57 V / 渭 s, which is 2.8 and 2.6 times higher than that in the conventional circuits. In addition, compared with other literatures, the amplifier has a larger unit gain bandwidth, a swinging rate and a lower power consumption.
【作者单位】： 南昌大学科学技术学院;
【基金】：江西省教育厅科学技术研究项目(151503,151496)
【分类号】：TN722

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本文编号：1652560