Al化衬底对MOCVD生长AlN的影响

发布时间：2018-04-01 02:12

  本文选题：衬底处理　切入点：Al　出处：《兵器材料科学与工程》2017年05期

【摘要】：采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在蓝宝石衬底上高温外延生长高温Al N外延层,着重研究Al化蓝宝石衬底的时间对样品的结构、形貌和面内应变等产生的影响。采用原位监测系统监测外延生长过程、扫描电子显微镜(SEM)表征样品的表面形貌、X线衍射(XRD)分析样品的晶体质量与残余应变。结果表明:适当的Al化衬底可以使高温Al N外延层表面更加平整,面内应变得到部分释放,但是Al化衬底会引起外延层的结晶质量变差。
[Abstract]:High temperature Al N epitaxial layer was grown on sapphire substrate by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) method. In situ monitoring system is used to monitor the epitaxial growth process. The surface morphology of the samples was characterized by scanning electron microscopy (SEM) and X-ray diffraction (XRD). The results showed that the surface of high temperature Al N epitaxial layer was more smooth and the in-plane strain was partially released by proper Al substrate. However, the crystallization quality of the epitaxial layer will become worse due to Al substrates.
【作者单位】： 公安海警学院基础部;宁波市科技信息研究院;
【分类号】：TN304

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本文编号：1693500