银铜双原子MACE法可控制备倒金字塔多晶黑硅的结构与性能

发布时间：2018-04-09 12:02

  本文选题：纳米光电材料　切入点：太阳能　出处：《光子学报》2017年01期

【摘要】：采用一步银铜双原子金属辅助化学腐蚀法,室温下在多晶硅表面制备纳米陷光结构,再利用纳米结构修正溶液在温度为50℃时对硅片进行各向异性重构,可控制备出不同尺寸的倒金字塔陷光结构.用分光光度计测量了多晶硅表面的反射率,用扫描电镜观察了多晶硅表面形貌,用少子寿命测试仪测量了多晶硅钝化后的少子寿命.结果表明:影响倒金字塔结构尺寸的主要影响因素是制备态黑硅纳米结构的深度,当深度越深,最终形成的结构尺寸也越大;纳米结构修正溶液重构时间越长,所形成的倒金字塔结构尺寸越大,反射率也变大;经原子层沉积钝化后的倒金字塔结构中少子寿命随其尺寸的增大而增加;当倒金字塔边长为600nm时综合效果最佳,反射率为9.87%,少子寿命为37.82μs.
[Abstract]:A one-step silver copper diatomic metal-assisted chemical etching method was used to prepare nano-trapping structure on polycrystalline silicon surface at room temperature. The nanostructure correction solution was used to reconstruct the anisotropy of silicon wafer at 50 鈩，

本文编号：1726340