基于电热耦合效应下的TSV互连结构传输性能分析

发布时间：2018-04-15 20:02

  本文选题：TSV + 电热耦合　； 参考：《现代电子技术》2017年08期

【摘要】：根据电路和热路的基本原理结合硅通孔(TSV)的几何结构,建立TSV互连结构等效电路模型,对该模型进行电-热耦合条件下的互连传输性能分析,研究TSV的半径、高度和二氧化硅层厚度对TSV传输性能的影响。结果表明,TSV互连结构的传输性能随着半径和二氧化硅层厚度的增大而变得越好,随着其高度增大而变得越差。同时用COMSOL仿真软件分析出的S参数与等效电路模型的结果相对比,所得的结果几乎一样,进一步说明等效电路模型的正确性。
[Abstract]:According to the basic principle of circuit and hot circuit, the equivalent circuit model of TSV interconnection structure is established, and the transmission performance of TSV is analyzed under the condition of electric-thermal coupling, and the radius of TSV is studied.The influence of height and thickness of silica layer on the transport performance of TSV.The results show that the transport performance of TSV interconnects becomes better with the increase of radius and thickness of silicon dioxide, and becomes worse with the increase of height.At the same time, compared with the results of the equivalent circuit model, the S parameters analyzed by the COMSOL simulation software are almost the same, which further shows the correctness of the equivalent circuit model.
【作者单位】： 桂林电子科技大学机电工程学院;
【基金】：国家自然科学基金(51465013) 桂林电子科技大学研究生创新项目(GDYCSZ201443;GDYCSZ201480) 广西自动检测技术与仪器重点实验室主任基金(YQ15109) 广西研究生教育创新计划资助项目(YCSZ2014142)
【分类号】：TN405

【参考文献】

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【共引文献】

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【二级参考文献】

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本文编号：1755570