基于Ar等离子体表面激活的Ni-Si晶圆键合工艺研究

发布时间：2018-05-03 20:13

本文选题：晶圆键合 + 化学反应键合　；参考：《稀有金属与硬质合金》2017年03期

【摘要】：利用Ar等离子体对晶圆表面进行激活处理,随后进行Ni-Si晶圆键合。研究了等离子体表面激活过程中的气体流量和反应离子刻蚀功率对晶圆键合效果的影响,并利用超声扫描显微镜图片来评估晶圆键合的质量。结果表明,等离子体表面激活处理利于得到气泡和空洞数目较少的键合界面,从而有效提升晶圆键合的质量。
[Abstract]:The surface of wafer was activated by ar plasma and then bonded with Ni-Si wafer. The effects of gas flow rate and reactive ion etching power on wafer bonding during plasma surface activation were studied and the quality of wafer bonding was evaluated by ultrasonic scanning microscope images. The results show that the plasma surface activation treatment is conducive to the formation of a small number of bubbles and voids, which can effectively improve the quality of wafer bonding.
【作者单位】：中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室;中国科学院微电子研究所高频高压器件与集成研发中心;
【基金】：国家科技重大专项(2011ZX02708-003)
【分类号】：TN305

【参考文献】